[发明专利]发光二极管及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有较高产率且能够直接使用交流电源供电的发光二极管以及该发光二极管的形成方法。

背景技术

目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。

一般地，发光二极管包括基板、形成在基板上的缓冲层、以及外延生长在缓冲层上的发光二极管磊晶结构。发光二极管磊晶结构包括依次形成在缓冲层上的n型半导体层、活性层以及p型半导体层。当该发光二极管使用交流供电时，则需要将该发光二极管磊晶结构蚀刻成多个串联连接的发光二极管芯片。具体地，先将该发光二极管磊晶结构蚀刻成多个单独的发光二极管晶粒，且各发光二极管晶粒的电极需相互分离。由于缓冲层一般为n型半导体结构，其具有导电功能。因此，在蚀刻过程中，需要同时蚀刻该发光二极管磊晶结构以及该缓冲层，直到该基板处，以通过基板将相邻的发光二极管晶粒完全分离，防止相邻的发光二极管晶粒的n型半导体层相互导通，从而短路。然而，由于发光二极管磊晶结构与缓冲层的厚度相对较厚，一般为4～8微米，如果需要完全蚀刻该缓冲层，并且蚀刻部分基板，则需要较长的蚀刻时间，并导致产率较低。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种具有较高产率且能够直接使用交流电源供电的发光二极管及该发光二极管的形成方法。

一种发光二极管，其包括：基板，缓冲层，第一P型半导体层，第一P型半导体层。该基板具有一个第一表面。该缓冲层形成在基板的第一表面上。该第一P型半导体层设置在该缓冲层的远离该基板的表面上。该多个发光二极管晶粒间隔设置在该第一P型半导体层上，并且通过金属连接线串联连接。

一种发光二极管的形成方法，其包括：提供一个基板，其具有一第一表面；在基板的第一表面上形成缓冲层；在缓冲层上的远离该基板的表面上形成第一P型半导体层；将多个发光二极管晶粒间隔设置在该第一P型半导体层上，且该多个发光二极管晶粒通过金属连接线串联连接。

所述发光二极管以及发光二极管的形成方法中，发光二极管均具有第一P型半导体层；当用交流驱动该发光二极管所包括的多个发光二极管晶粒时，仅需将该发光二极管蚀刻至第一P型半导体层，即可以将该多个发光二极管晶粒的N型半导体隔开，从而防止短路，而无需蚀刻整个缓冲层，从而节省了蚀刻时间，具有较高的产率。

附图说明

图1是本发明实施例的发光二极管的剖面示意图。

图2是本发明实施例的发光二极管的形成方法的流程示意图。

主要元件符号说明

发光二极管        100

发光二极管磊晶结构20

基板              21

第一表面          211

缓冲层            22

第一P型半导体层   23

N型半导体层       24

活性层            25

第二P型半导体层   26

透明导电层            27

金属连接线            281、282

保护层                29

第一发光二极管晶粒    31

第二发光二极管晶粒    32

第三发光二极管晶粒    33

P型电极               314、324、334

N型电极               315、325

暴露面                241、242

第一凹槽              41

第二凹槽              42

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。

请参阅图1，本发明实施例提供一种发光二极管100，其包括基板21、形成在该基板21上的缓冲层22、形成在缓冲层22上的第一P型半导体层23、以及外延生长在该缓冲层22上的发光二极管磊晶结构20。在本实施例中，该发光二极管磊晶结构20包括N型半导体层24、活性层25、第二P型半导体层26。