[发明专利]一种新型碳化硅陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010297902.8 申请日: 2010-09-30
公开(公告)号: CN101962295A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 姜维海;宋贺臣 申请(专利权)人: 河南新大新材料股份有限公司
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 田小伍
地址: 475000 *** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种新型碳化硅陶瓷,其特征在于,用下述主料和辅料经混合造浆、造粒、压制成型、烧结制成,主料的质量百分比组成为:碳化硅粉体80-90%、硅粉6-10%和碳粉4-10%,辅料为粘结剂和分散剂,粘结剂的用量为主料总质量的1-5%,分散剂的用量为主料总质量的0.5-1%。

2.如权利要求1所述的新型碳化硅陶瓷,其特征在于,所述碳化硅粉体由碳化硅废料制得,所述硅粉由太阳能晶硅片切割液的废砂浆制得。

3.如权利要求1或2所述的新型碳化硅陶瓷,其特征在于,所述粘结剂为聚乙烯醇或/和羧甲基纤维素,分散剂为聚乙二醇、四甲基氢氧化铵、磷铝酸盐、聚丙烯酸中的一种或两种以上的组合。

4.权利要求1所述的新型碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)按比例取各原料,将碳化硅粉体、硅粉、碳粉加入去离子水中,依次加入粘结剂和分散剂,球磨混合4-10小时,成固含量50-70%的复合料浆;

(2)复合料浆经喷雾干燥,得复合造粒粉;所述喷雾干燥时的热风进口温度为200-300℃,出口温度为110-140℃,复合料浆流量为20-100kg/h;

(3)复合造粒粉经干压成型,得素坯;所述干压成型时的压力为60-200Mpa;

(4)素坯经真空烧结得新型碳化硅陶瓷,烧结温度为1600-1800℃,保温时间为2-5小时。

5.如权利要求4所述的新型碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,所述碳化硅粉体的制备过程为:a、将碳化硅废料用pH为1-5的酸溶液浸泡至少8小时以去除金属及氧化物杂质,再用pH>10的碱溶液浸泡2-4小时以去除二氧化硅;b、将步骤a的产物分散于其质量0.8-1倍的水中形成悬浮液,调节悬浮液的pH≤2,搅拌6-14小时,过滤,水洗滤饼至洗涤液为中性,干燥滤饼;c、将滤饼分散于其质量2-5倍的有机溶剂中,加入滤饼质量0.5-7%的表面活性剂,搅拌6-12小时,去除有机溶剂,干燥得碳化硅粉体。

6.如权利要求5所述的新型碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为无水乙醇、甲苯、氯仿、四氯化碳和四氢呋喃中的一种或两种以上的组合;所述表面活性剂为铝锆偶联剂、聚乙二醇、硅烷偶联剂中的一种或两种以上的组合。

7.如权利要求5或6任一项所述的新型碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,所述硅粉的制备过程为:a、将太阳能硅片切割废砂浆温度调节到20~80℃,固液分离;b、将分离所得的固体添水造浆至质量浓度15-90%,后采用刮刀离心机分离;c、将分离得到的固体加水造浆至浓度为20~40wt%,并按固体质量的0.01~0.1%向浆料中添加浮选油,然后将浆料打入水力分级装置,持续鼓入空气气流,充分搅拌1-3小时后,再以100~500L/h的流速进行水流浮选,得粗硅粉;d、将粗硅粉依次进行酸洗、浓缩、烘干得到硅粉。

8.如权利要求7所述的新型碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,所述浮选油为松油、2#浮选油、QX-3浮选油中的一种或两种以上的组合;所述固液分离采用卧式离心机、立式离心机、沉降离心机或刮刀离心机,离心速度为500-1500r/min。

9.如权利要求4-6任一项所述的新型碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,所述粘结剂为聚乙烯醇或/和羧甲基纤维素,分散剂为聚乙二醇、四甲基氢氧化铵、磷铝酸盐、聚丙烯酸中的一种或两种以上的组合。

10.如权利要求7所述的新型碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于,所述粘结剂为聚乙烯醇或/和羧甲基纤维素,分散剂为聚乙二醇、四甲基氢氧化铵、磷铝酸盐、聚丙烯酸中的一种或两种以上的组合。

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