[发明专利]一种纳米孔电学传感器有效
| 申请号： | 201010298015.2 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101986145A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 徐明生;陈红征;施敏敏;吴刚;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;C12M1/34;B82B1/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 电学 传感器 | ||
1. 一种纳米孔电学传感器，其特征在于包括从下到上依次层叠的基板（1）、第一绝缘层（2）、纳米功能层（3）和第二绝缘层（6），在基板（1）、第一绝缘层（2）、纳米功能层（3）和第二绝缘层（6）的中心设有纳米孔（4），所述纳米功能层（3）为中心带纳米孔（4）的薄片状。
2. 根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于在第一绝缘层（2）上表面、纳米功能层（3）边缘设有与纳米功能层(3)相连接的电接触层（5）。
3. 根据权利要求1所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述纳米功能层（3）的厚度为0.3～3.5 nm。
4. 根据权利要求1或2或3所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的纳米功能层（3）的材料为层状导电材料，层状导电材料为石墨、还原的氧化石墨烯、部分氢化的石墨烯、BNC、MoS2、NbSe2或Bi2Sr2CaCu2Ox。
5. 根据权利要求4所述的一种纳米孔电学传感器, 其特征在于所述的层状导电材料为石墨，石墨为1～10层的石墨烯薄膜。
6. 根据权利要求1或2或3所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的基板（１）的材料为半导体材料或绝缘材料，半导体材料为Si、GaN、Ge或GaAs中的一种或多种的混合物，绝缘材料为SiC、Al2O3、SiNx、SiO2、HfO2、聚乙烯醇、聚（4－乙烯基苯酚）、二乙烯基四甲基二硅氧烷－二（苯并环丁烯）或聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种的混合物。
7. 根据权利要求1或2或3所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的第一绝缘层（2）和第二绝缘层（6）的材料为SiO2、Al2O3、BN、SiC、SiNx、聚乙烯醇、聚（4－乙烯基苯酚）、二乙烯基四甲基二硅氧烷－二（苯并环丁烯）或聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种的混合物。
8. 根据权利要求1或2或3所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的纳米孔（4）为圆孔，纳米孔（4）的孔径为1～50 nm。
9. 根据权利要求1或2或3所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的纳米孔（4）为多边形孔或者椭圆孔，其孔周围两点之间的最大距离为1～50 nm。
10. 根据权利要求2所述的一种纳米孔电学传感器，其特征在于所述的电接触层（5）的材料为Au、Cr、Ti、Pd、Pt、Cu、Al、Ni或PSS:PEDOT中的一种或多种的混合物。
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