[发明专利]一种LED封装材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种LED封装材料，其特征在于由以下按质量百分比计的成分组成：

玻璃微粉  80～95％

荧光粉    5～20％；

所述的荧光粉为圆球形的不聚集型荧光粉体。

2.根据权利要求1所述LED封装材料，其特征在于：所述的玻璃微粉是具有以下特点的玻璃微粉：透光率为85～95％，软化温度T_g为300～500℃，烧结温度为350～600℃，粒径为微米、亚微米或纳米级。

3.根据权利要求1所述LED封装材料，其特征在于：所述荧光粉为Y₂O₃:Eu、Gd₂O₃:Eu、(Y，Gd)₂O₃:Eu、(Y，Gd)BO₂:Eu、Y₃Al₅O₁₂:Eu、Sr₅(PO₄)₃Cl:Eu、Y₃Al₅O₁₂:Ce、Y₂SiO₅:Ce、BaAl₁₂O₁₉:Mn、Ce_1-xTbxMgAl₁₁O₁₉、Y₂SiO₃:Tb或Y₃Al₅O₁₂:Tb中的至少一种。

4.根据权利要求1所述LED封装材料，其特征在于：所述的荧光粉的粒径为0.1～8μm。

5.权利要求1～4任一项所述LED封装材料的制备方法，其特征在于包含以下步骤：

(1)将质量百分比80～95％的玻璃微粉和质量百分比5～20％的荧光粉作为起始材料，与无水乙醇进行搅拌混合，得到复合粉体；

(2)将步骤(1)得到的复合粉体进行过滤，再于100～150℃干燥，得到复合粉末；

(3)将步骤(2)得到的复合粉末置于高温高压模具中，采用连续冲压高温成型技术，具体条件为：于200～1500Kg/m²冲压，在抽真空脱气后，由室温升至烧结温度进行烧结，该烧结温度为T_g+(30～80℃)，T_g为玻璃微粉的软化温度；烧结0.5～2小时后退火至100～150℃保温1～3小时，之后冷却至室温，得到LED封装材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述无水乙醇的用量是使用相当于复合粉体质量的20～70％；

步骤(1)中所述搅拌的速度为1300～1800rpm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中所述冲压次数为3～10次。

8.权利要求1～4任一项所述LED封装材料的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于：所述的LED封装材料应用于LED芯片封装，其具体操作如下：

①于LED芯片固晶、焊线完成后，涂布一层薄层透明胶，接着覆盖上述LED封装材料；

②加热至100～150℃，使透明胶硬化即可。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：步骤①中所述的透明胶为透光率为88～92％的光学硅胶；

所述薄层透明胶的厚度为0.5～5μm。