[发明专利]一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法，其工艺流程如下：

1)、N型直拉单晶硅片(1)正面经过清洗及正金字塔织构化处理；

2)、N型直拉单晶硅片(1)通过BBr₃液态硼扩散源制备P型发射结(2)；

3)、使用HF/HNO₃混合液刻蚀掉背面的P型发射结(2)及同时用HF去除硼硅玻璃；

4)、N型直拉单晶硅片(1)正面P型发射结(2)面沉积致密的氮化硅掩膜层，氮化硅掩膜层厚度为80～100nm；

5)、N型直拉单晶硅片(1)背面通过使用POCl₃液态磷扩散源制备背面场N型发射结(6)；

6)、使用热的浓磷酸去除氮化硅掩膜层；

7)、使用等离子体刻蚀去除边缘P-N结；

8)、使用浓度2～10％HF去除磷硅玻璃；

9)、正面场P型发射结(2)面先沉积10～50nm的Al₂O₃钝化膜(3)，然后正面场再沉积厚度为40～80nm的氮化硅减反射膜(4)，Al₂O₃钝化膜(3)和氮化硅减反射膜(4)的总厚度为70～80nm；

10)、背面场N型发射结(6)面沉积厚度为70-100nm的氮化硅钝化膜(7)；

11)、正面场印刷银铝浆，烘干成银铝金属栅线(5)；

12)、背面场印刷银浆，烧结成银金属栅线(8)。

2.根据权利要求1所述的一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法，其特征是工序2)中：所述的BBr₃液态硼扩散源制备P型发射结(2)，扩散温度900～950℃，时间为40～60min，方块电阻为60ohm/Sq。

3.根据权利要求1所述的一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法，其特征是工序5)中：POCl₃液态磷扩散源制备背面场N型发射结(6)，扩散温度800～900℃，时间为30～50min，方块电阻为40ohm/Sq。

4.根据权利要求1所述的一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法，其特征是工序9)中：正面场P型发射结(2)面先沉积20nm的Al₂O₃钝化膜(3)，并在400℃下退火5min，用PECVD法沉积55nm的SiNx:H减反射膜(4)。

5.根据权利要求1所述的一种掩膜扩散法制备N型太阳能电池的方法，其特征是工序10)中：背面场N型发射结(6)面用PECVD法沉积厚度为70-100nm的SiNx:H钝化膜(7)。