[发明专利]CMOS晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 201010299348.7 | 申请日： | 2010-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102420185A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 吴金刚;黄晓辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 晶体管 制作方法 | ||
1.一种CMOS晶体管的制作方法，采用栅极替换工艺制作栅极，其特征在于，
包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区与第二掺杂区上分别形成有第一牺牲栅极结构与第二牺牲栅极结构，所述第一牺牲栅极结构与第二牺牲栅极结构包含有伪栅介电层、牺牲栅以及硬掩膜层；
在所述半导体衬底上形成介电保护层，所述介电保护层覆盖第一牺牲栅极结构与第二牺牲栅极结构；
平坦化所述介电保护层并移除所述硬掩膜层，直至露出牺牲栅表面；
移除所述第一牺牲栅极结构的牺牲栅以形成第一栅极开口，在所述第一栅极开口中形成高K栅介电层与第一金属栅极；
在所述半导体衬底上形成保护帽层，所述保护帽层采用氧化硅；
部分刻蚀所述保护帽层，露出第二牺牲栅极结构的牺牲栅；
移除所述第二牺牲栅极结构的牺牲栅以形成第二栅极开口，在所述第二栅极开口中形成高K栅介电层与第二金属栅极。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介电保护层采用氧化硅。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述保护帽层的厚度为50至200埃。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用化学气相淀积的方法形成所述保护帽层。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述保护帽层的反应温度低于400摄氏度。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述CMOS晶体管的源漏区包含有重掺杂区与轻掺杂区，形成所述重掺杂区包括：在半导体衬底上形成介电保护层之前，
刻蚀牺牲栅极结构两侧的半导体衬底以形成源漏区开口；
在所述源漏区开口中外延重掺杂的半导体材料。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述部分刻蚀所述保护帽层，露出第二牺牲栅极结构的牺牲栅包括：采用各向异性干法刻蚀的方法刻蚀所述保护帽层。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述部分刻蚀所述保护帽层，露出第二牺牲栅极结构的牺牲栅还包括：对所述保护帽层进行过刻蚀，过刻蚀比率大于30％。
9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一栅极开口或第二栅极开口中形成栅极金属材料之前，所述制作方法还包括：在所述第一栅极开口或第二栅极开口中形成功函数金属层。
10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在移除牺牲栅极结构的牺牲栅之后，所述制作方法还包括：移除所述牺牲栅极结构的伪栅介电层并露出栅极开口的半导体衬底表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
