[发明专利]识别和/或提高化学机械研磨垫修整器性能的系统及方法

权利要求书

1.一种用于识别CMP垫修整器中的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其包含：

将一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板；及

在一第一方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一第一标记图案，其中该第一标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。

2.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其进一步包含在一第二方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分产生一第二标记图案，该第二方向大致上处于该第一方向的横向，其中该第二标记图案与该第一标记图案相比提供该多个工作超研磨颗粒的定位信息。

3.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其中该指示基板包括一指示标记物，其在使该CMP垫修整器移动经过该指示基板时标记该多个工作超研磨颗粒。

4.根据权利要求3所述的识别CMP垫修整器的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其中该指示标记物包括一选自由颜料标记物、萤光标记物、化学标记物、放射性标记物、及其组合组成的群的成员。

5.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其中该多个超研磨颗粒相对于该CMP垫修整器具有至少一个校正定位方向，且其中该第一方向并非该至少一个校正定位。

6.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其进一步包含自该多个工作超研磨颗粒中识别及除去过度侵蚀性超研磨颗粒。

7.根据权利要求6所述的识别CMP垫修整器的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其进一步包含：

将该CMP垫修整器定置于下一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该下一指示基板；及

在该第一方向上移动该CMP垫修整器经过该下一指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一后生标记图案，其中该后生标记图案自该多个超研磨颗粒中识别随后产生的多个超研磨颗粒。

8.根据权利要求1所述的识别CMP垫修整器的过度侵蚀性超研磨颗粒的方法，其中该多个超研磨颗粒为多个超研磨区段，且该多个工作超研磨颗粒为多个工作超研磨区段。

9.一种提高工作超研磨颗粒在一CMP垫修整器中的比例的方法，其包含：

将一具有多个超研磨颗粒的CMP垫修整器定置于一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该指示基板；

在一第一方向上移动该CMP垫修整器经过该指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一第一标记图案，其中该第一标记图案自该多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒；

自该多个工作超研磨颗粒中识别多个过度侵蚀性超研磨颗粒；及

除去该多个过度侵蚀性超研磨颗粒的至少一部分，以增加工作超研磨颗粒在该CMP垫修整器中的比例。

10.根据权利要求9所述的提高工作超研磨颗粒在一CMP垫修整器中的比例的方法，其进一步包含：

将该CMP垫修整器定置于下一指示基板上，以使该CMP垫修整器的该多个超研磨颗粒的至少一部分接触该下一指示基板；及

在该第一方向上移动该CMP垫修整器经过该下一指示基板，以使该多个超研磨颗粒的该部分在该基板上产生一后生标记图案，其中该后生标记图案自该多个超研磨颗粒中识别随后产生的多个工作超研磨颗粒。

11.一种CMP垫修整器的修整轮廓，其包含一修整图案，其自一CMP垫修整器的多个超研磨颗粒中识别多个工作超研磨颗粒。

12.根据权利要求11所述的CMP垫修整器的修整轮廓，其中该修整图案是呈一选自由以下组成的群的格式：一电子表示、一指示基板上的一标记图案、一标记图案的一图解表示、一标记图案的一数值表示、一展示该多个工作超研磨颗粒的位置的CMP垫修整器图、及其组合。