[发明专利]用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法

权利要求书

1.一种用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法，其特征在于，包括：

第一步、采用多孔氧化铝模板作为母版，对母版进行去除杂质处理和降表面能处理；

第二步、将聚二甲基硅氧烷基料和固化剂按质量比10∶1进行配比，经搅拌均匀后按照聚二甲基硅氧烷∶硅油质量比2∶1加入硅油，搅拌均匀后制成聚二甲基硅氧烷稀释剂；

第三步、将母版置于密闭容器中进行真空处理，在真空条件下，用针管加入聚二甲基硅氧烷稀释剂到母版表面并完全覆盖表面，保持真空2～3分钟后，取出母版并置于匀胶机上进行甩胶处理；

第四步、将聚二甲基硅氧烷基料和固化剂按质量比10∶1进行配比后搅拌均匀并进一步覆盖在匀胶处理后的母版表面，再将母版置于密闭容器中抽真空去除气泡；

第五步、将抽真空后的母版加热固化处理后用镊子将固化后的聚二甲基硅氧烷从母版上取下即制成用于紫外纳米压印的点阵结构软模板。

2.根据权利要求1所述的用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法，其特征是，所述的多孔氧化铝模板上设有若干排列均匀的孔洞，其孔洞的直径60～100纳米。

3.根据权利要求1所述的用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法，其特征是，所述的去除杂质处理是指：将母版先后放入丙酮和酒精中，分别超声3分钟，烘干。

4.根据权利要求1所述的用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法，其特征是，所述的降表面能处理是指：将母版放入称量瓶中，滴入全氟辛基三氯硅烷并盖上瓶盖，在常温常压下蒸镀1小时，然后设置热板温度为100℃，烘烤15分钟后，自然冷却。

5.根据权利要求1所述的用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法，其特征是，所述的真空处理是指真空度为-0.096MPa。

6.根据权利要求1所述的用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法，其特征是，所述的甩胶处理是指该匀胶机在900转/秒的速度下匀胶6秒，再在3000转/秒的速度下匀胶20秒。

7.根据权利要求1所述的用于紫外纳米压印的点阵结构软模板的制备方法，其特征是，所述的固化处理是指：在90℃的环境下，烘烤2～3小时完成固化。