[发明专利]一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法无效
| 申请号： | 201010300736.2 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101775662A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 吴学林;卢小丹 | 申请（专利权）人： | 宜昌南玻硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 多晶 硅硅块 腐蚀 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，其特征在于包括以下步骤：
在混酸腐蚀和纯水(EW-I)漂洗工序后设置氢氟酸溶液腐蚀工序；
氢氟酸溶液为电子级氢氟酸和纯水(EW-I)按1∶2～5(重量份)的配比稀释而成，腐蚀浸泡时间根据硅块表面的氧化层厚薄及氢氟酸的溶液浓度决定；
超声清洗之后再用热氮气切水、真空烘干从而得到满足直拉单晶要求的高纯免洗多晶硅硅块。
2.根据权利要求1所述的一种高纯多晶硅硅块腐蚀清洗的方法，其特征在于：在氢氟酸溶液腐蚀工序中腐蚀浸泡时间为8～60s。
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