[发明专利]降低蓝相液晶显示器驱动电压的装置无效
申请号: | 201010301181.3 | 申请日: | 2010-02-04 |
公开(公告)号: | CN101782702A | 公开(公告)日: | 2010-07-21 |
发明(设计)人: | 陆建钢;朱吉亮;苏翼凯 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 液晶显示器 驱动 电压 装置 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种液晶显示技术领域的装置,具体是一种降低蓝相液晶(BPLC)显示器驱动电压的装置。
背景技术
蓝相是出现在手性向列性相与各向同性相之间的温度范围很窄的一种液晶相。蓝相液晶显示器最具有潜能成为下一代显示器。因为蓝相液晶具有以下革命性的特性:(1)蓝相液晶显示的理论响应速度可达到ms级以下,从根本上解决了二倍速、四倍速液晶显示的响应速度问题,甚至八倍速液晶显示都将成为可能;(2)宏观上,蓝相液晶是各向同性的,蓝相液晶显示器具有视野角大,暗态好的特点;(3)由于polymer稳定的原因,使得蓝相液晶显示不需要其它各种液晶显示模式所必须的配向膜,从而制造成本更低,制造工艺更简便。但是,蓝相液晶显示器存一个很大的技术难题,驱动电压非常高。目前生产工艺上采用传统的IPS(in-plane switching)像素驱动方式驱动蓝相液晶显示器。大多数技术通过改进蓝相液晶材料的科尔常数降低驱动电压。
经对现有技术的文献检索发现,2009年《APPLIED PHYSICS LETTERS》上发表了题名为“Electro-optics of polymer-stabilized blue phase liquid crystal displays(聚合物蓝相液晶显示器的电光特性)”的文章,该文中采用传统的IPS像素驱动蓝相液晶显示器,Pixel电极和Common电极通过绝缘层与下基板相连接,彩色滤光膜通过保护膜与上基板相连,上下基板均与偏振方向相互垂直的偏振片相连,蓝相液晶填充在电极与彩色滤光膜之间的间隙中。但是该技术采用科尔常数为1.03nmV-2的蓝相液晶材料,液晶盒厚是10μm,调整电极宽度和电极间距,蓝相液晶显示器的驱动电压均在100伏以上,当把蓝相液晶材料的科尔常数增加100倍(10-7数量)时,驱动电压也只能降至15伏,因此该技术对材料要求非常高,很难实现。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的上述不足,提供一种降低蓝相液晶显示器驱动电压的装置。本发明引入突起结构,通过调整突起的高度、宽度、突起间的间距、突起纵截面的底角的大小和突起在上下基板上的分布,利用企业的现有生产设备及条件,就能有效降低蓝相液晶显示器的驱动电压,从而节约能源,推动新一代液晶显示器研发和量产。
本发明是通过以下技术方案实现的:
本发明包括:上偏振片、上基板、保护膜、彩色滤光膜、蓝相液晶、N个Pixel电极、N个Common电极、2N个突起、绝缘层、下基板和下偏振片,其中:上偏振片的下表面与上基板的上表面相连,上基板的下表面与保护膜的上表面相连,保护膜的下表面与彩色滤光膜的上表面相连,突起的一个表面与彩色滤光膜的下表面或者绝缘层的上表面相连,突起的其余部分位于Pixel电极或Common电极内,Pixel电极与Common电极等间距L交替排布或者是Pixel电极与Pixel电极等间距L排布、Common电极与Common电极等间距L排布,蓝相液晶填充在彩色滤光膜、Pixel电极、Common电极和绝缘层构成的间隙中,绝缘层的下表面与下基板的上表面相连,下基板的下表面与下偏振片的上表面相连。
所述的突起是有机透明材料,其纵截面是梯形或矩形,横截面是正方形,其突起的高度范围是0.25μm<h<7.93μm,最大的横截面的边长范围是:w≥1.94μm。
当所述的突起的纵截面是梯形时,其底角β的范围是30°<β<90°。
所述的Pixel电极和Common电极的电极厚度范围是:300埃米2500埃米。
所述的L的范围是:L≥2μm。
所述的突起是通过曝光工艺,或者是掩膜工艺,或者是光刻工艺,或者是腐蚀工艺实现的。
所述的彩色滤光膜与绝缘层间的间距d的范围是:4μm≤d≤20μm。
与现有技术对比,本发明的有益效果是:通过引入突起结构,有效增加了蓝相液晶区域内的横向有效电场,从而大大降低了蓝相液晶显示器的驱动电压;通过使电极的纵截面梯度化,提高了光透过率,能够利用企业的现有生成设备及条件,节约能源,推动下一代液晶显示器的研发和量产。
附图说明
图1是实施例1的结构示意图;
图2是实施例1的V-T曲线图;
图3是实施例2的结构示意图;
图4是实施例2的V-T曲线图;
图5是实施例3的结构示意图;
图6是实施例3的V-T曲线图;
图7是实施例4的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010301181.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:应急培训演练方法和系统
- 下一篇:城市道路交叉路口平均延误获取方法