[发明专利]ZnO和GaN组合ZnO基端面发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上制备的p型GaN外延层(2)、GaN外延层(2)上制备的Zn_1-xMg_xO电流下限制层(3)、电流下限制层(3)上制备的n型ZnO基材料发光层(4)、ZnO发光层(4)上面制备的上电极(6)构成，其中x＝0.05～1，

或一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上制备的n型GaN外延层(2)、GaN外延层(2)上制备的Ga₂O₃或n型AlGaN电流下限制层(3)、电流下限制层(3)上制备的p型ZnO基材料发光层(4)、ZnO基材料发光层4上面制备的上电极(6)构成，

或一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上外延生长的n型GaN外延层(2)、在GaN外延层(2)上制备的p型ZnO基材料发光层(4)、在ZnO基材料发光层(4)上面制备的上电极(6)构成，

或一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上外延生长的n型GaN外延层(2)、在GaN外延层(2)上制备的的Ga₂O₃或n型AlGaN电流下限制层(3)、电流下限制层(3)上制备的p型ZnO基材料发光层(4)、在ZnO基材料发光层(4)上面制备的p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层(7)、电流上限制层(7)上制备的电极(6)构成，

其特征在于：衬底(1)是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层(2)的导电类型相同，同时在衬底(1)的下面制备有下电极(5)；由芯片解理的前、后端面构成前反射镜(8)和后反射镜(9)，激光器在前反射镜(8)和后反射镜(9)出光。

2.一种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器，其芯片依次由衬底(1)、衬底(1)上制备的p型GaN外延层(2)、GaN外延层(2)上制备的Zn_1-xMg_xO电流下限制层(3)、电流下限制层(3)上制备的n型ZnO基材料发光层(4)、n型ZnO基材料发光层(4)上面制备的上电极(6)构成，其中x＝0.05～1，其特征在于：衬底(1)是导电的p型GaAs晶体片、导电的p型InP晶体片、导电的p型SiC晶体片或导电的p型GaN晶体片，同时在衬底(1)的下面制备有下电极(5)，在n型ZnO基材料发光层(4)和上电极(6)之间制备有n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层(7)；由芯片解理的前、后端面构成前反射镜(8)和后反射镜(9)，激光器在前反射镜(8)和后反射镜(9)出光。