[发明专利]一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010500518.3 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102024904A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张石磊;滕蛟;于广华 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人： | 刘淑芬 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 金属 霍尔 传感器 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料，其特征在于：所述霍尔传感器薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层的多层膜结构。
2.根据权利要求1所述的薄膜材料，其特征在于：所述绝缘层可以是MgO或Al2O3。
3.根据权利要求1所述的薄膜材料，其特征在于：所述Co，Pt结构为[Co/Pt2]n多层膜周期结构，周期数n可以是2～10。
4.根据权利要求1所述的薄膜材料，其特征在于：所述多层膜材料各层的厚度为绝缘层
5.制备如权利要求1～4所述高灵敏度霍尔传感器薄膜材料的制备方法，其特征在于：
所述金属霍尔传感器薄膜材料是在磁控溅射仪中制备，在清洗干净的单晶硅基片上依次沉积所述绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层；溅射时本底真空度为6×10-6～1×10-5Pa，溅射时氩气压为0.2～0.4Pa，基片用循环水冷却。
6.根据权利要求5所述的金属霍尔传感器薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述溅射时氩气的纯度为99.99％。
7.根据权利要求6所述的磁电阻薄膜材料的制备方法，其特征在于，在单晶硅基片上依次沉积溅射时本底真空1×10-5Pa，在溅射时氩气压为0.2Pa。
8.根据权利要求6所述的磁电阻薄膜材料的制备方法，其特征在于，在单晶硅基片上依次沉积溅射时本底真空1×10-5Pa，在溅射时氩气压为0.2Pa。
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