[发明专利]一种在金属基体表面制备ZnO/PDDA复合膜的方法无效
| 申请号： | 201010500913.1 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101962793A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林志峰;张盾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院海洋研究所 |
| 主分类号： | C25D15/00 | 分类号： | C25D15/00;C25D9/00;C25D13/06 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 266071*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 基体 表面 制备 zno pdda 复合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在金属基体表面制备ZnO/PDDA复合膜的方法，其特征在于：
1)将金属基体依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗表面，而后吹干，待用；
2)以含聚二聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)的Zn(NO3)2溶液为电解液中，通过采用阴极电沉积，在基体表面沉积ZnO/PDDA复合膜，即得到沉积ZnO/PDDA复合膜的金属基体。
2.按权利要求1所述的在金属基体表面制备ZnO/PDDA复合膜的方法，其特征在于：所述电解液为含Zn(NO3)2与PDDA的混合溶液，其中，Zn(NO3)2浓度为5mM～0.01M，PDDA浓度为0.5～3g L-1。
3.按权利要求1所述的在金属基体表面制备ZnO/PDDA复合膜的方法，其特征在于：所述阴极电沉积时电沉积电位为-0.8～-1.2V/(Ag/AgCl)，沉积时间为10min～30min，沉积温度为40～55℃。
4.按权利要求1所述的在金属基体表面制备ZnO/PDDA复合膜的方法，其特征在于：所述金属基体为碳钢基体；所述步骤1)清洗后基体用氮气吹干。
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