[发明专利]具有静电放电保护功能的芯片无效
申请号: | 201010500924.X | 申请日: | 2010-10-09 |
公开(公告)号: | CN102214654A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 黄福助;黄柏狮 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/00 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 静电 放电 保护 功能 芯片 | ||
1.一种具有静电放电保护功能的芯片,包含:
输入输出区域,该输入输出区域之中具有操作于第一电源域的第一输入输出区块以及操作于第二电源域的第二输入输出区块,其中该第一电源域的电压范围与该第二电源域的电压范围不同;以及
核心区域,该核心区域之中具有执行该芯片的至少一功能的至少一电路,该核心区域之中更具有至少一电源分切单元,其中该电源分切单元通过多个连接器耦接于该第一输入输出区块与该第二输入输出区块,用于提供该第一输入输出区块与该第二输入输出区块之间的静电放电路径。
2.如权利要求1所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器包含分别将该电源分切单元连接于该第一输入输出区块的第一电源节点与该第二输入输出区块的第二电源节点之间的多个连接器。
3.如权利要求1所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器包含分别将该电源分切单元连接于该第一输入输出区块的第一接地节点与该第二输入输出区块的第二接地节点之间的多个连接器。
4.如权利要求1所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器包含分别将该电源分切单元连接于该第一输入输出区块的第一电源节点与该第二输入输出区块的第一接地节点之间的多个连接器。
5.如权利要求1所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器中的每一个的总宽度对应于特定静电放电耐受等级。
6.如权利要求5所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,当该特定静电放电耐受等级不低于50伏特时,该多个连接器中的每一个的总宽度不小于5微米。
7.如权利要求5所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器中的至少一个仅处于单金属层之上,或该多个连接器中的至少一个处于多个金属层之上。
8.如权利要求5所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器中的至少一个为焊线。
9.如权利要求1所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该芯片为焊盘局限型。
10.如权利要求1所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器包含连接于该电源分切单元的第一连接节点与该第一输入输出区块及该第二输入输出区块中的一个的第二连接节点之间的连接器,以及该连接器的电阻小于5欧姆。
11.一种具有静电放电保护功能的芯片,包含:
多个输入输出区块,包含操作于第一电源域的第一输入输出区块以及操作于第二电源域的第二输入输出区块,其中该第一电源域的电压范围与该第二电源域的电压范围不同;以及
至少一电源分切单元,通过多个连接器耦接于该第一输入输出区块与该第二输入输出区块,用于提供该第一输入输出区块与该第二输入输出区块之间的静电放电路径,其中该至少一电源分切单元并非夹在该第一输入输出区块与该第二输入输出区块之间。
12.如权利要求11所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器包含分别将该电源分切单元连接于该第一输入输出区块的第一电源节点与该第二输入输出区块的第二电源节点之间的多个连接器。
13.如权利要求11所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器包含分别将该电源分切单元连接于该第一输入输出区块的第一接地节点与该第二输入输出区块的第二接地节点之间的多个连接器。
14.如权利要求11所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器包含分别将该电源分切单元连接于该第一输入输出区块的第一电源节点与该第二输入输出区块的第一接地节点之间的多个连接器。
15.如权利要求11所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器中的每一个的总宽度对应于特定静电放电耐受等级。
16.如权利要求15所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,当该特定静电放电耐受等级不低于50伏特时,该多个连接器中的每一个的总宽度不小于5微米。
17.如权利要求15所述的具有静电放电保护功能的芯片,其特征在于,该多个连接器中的至少一个仅处于单金属层之上,或该多个连接器中的至少一个处于多个金属层之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的