[发明专利]防尘薄膜组件的制造方法、光刻用防尘薄膜组件框架及光刻用防尘薄膜组件

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻用防尘薄膜组件及防尘薄膜组件框架，其为在制造LSI(大型集成电路)、超LSI(超大型集成电路)等半导体装置或液晶显示板时被使用作为光刻用掩模的防尘构件。本发明还涉及一种用于该防尘薄膜组件的防尘薄膜组件框架的制造方法。

背景技术

在制造LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示板时，用光照射在半导体基板或液晶用原板以制作图案，此时所采用的曝光原版上若附着尘粒，由于此尘粒会吸收光或使光偏转，而造成转印的图案会变形或边缘粗糙化、基部脏污、或尺寸、品质、外观等毁损等问题。另外，在本发明中所称“曝光原版”是指光刻用掩模(mask)(或仅称“掩模”)及倍缩掩模的总称。以下，以掩模为例说明。

这些操作通常是在无尘室进行，但即使在无尘室中也难使曝光原版经常保持洁净，所以采用在曝光原版的表面贴附目的在于防尘而能使曝光用的光顺利通过的防尘薄膜组件的方法。

防尘薄膜组件的基本构成是包含防尘薄膜组件框架及张设于此框架的防尘薄膜。防尘薄膜是由能让曝光用的光(g线、i线、KrF准分子激光、ArF准分子激光等)顺利透射的硝化纤维素、醋酸纤维素、含氟聚合物等所构成。在防尘薄膜组件框架的上边部涂布防尘薄膜的良好溶剂，再将防尘薄膜风干后粘接，或用丙烯酸酯树脂、环氧树脂或氟树脂等粘接剂粘接。进一步，为了将曝光原版安装在防尘薄膜组件框架的下边部，而设置由聚丁烯树脂、聚乙酸乙烯树脂、丙烯酸酯树脂、硅酮树脂所构成的粘附层，及目的在于保护粘附层的倍缩掩模粘附剂保护用衬层。

防尘薄膜组件设置成包围在形成于曝光原版表面的图案区域。由于防尘薄膜组件是为了防止曝光原版上附着尘粒而设置，故此图案区域与防尘薄膜组件外部被隔离以使防尘薄膜组件外部的尘埃不附着于图案表面。

近年来，LSI的设计规则正朝向0.25微米以下渐趋细微化，伴随此趋势，曝光光源也趋向短波长化，即正从过去为主流的水银灯所产生的g线(436nm)、i线(365nm)朝向KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等变迁。随着细微化的趋势，对于掩模及硅晶圆所要求的平坦性也渐趋严格。

防尘薄膜组件在制成掩模后，为了图案的防尘而贴附于掩模上。防尘薄膜组件贴附于掩模上，有时会造成掩模的平坦度改变。掩模的平坦度一旦变差，即如前所述可能发生焦点偏离等问题。且平坦度一旦变差，在掩模上所描绘的图案的形状会产生变化，而造成掩模叠层对准精确性发生问题的弊病。

因贴附防尘薄膜组件所造成的掩模平坦度的变化的主因有数个，我们发现其中最重要者为防尘薄膜组件框架的平坦度。

近年来，对于掩模所要求的平坦性，即在图案面的平坦度2μm的要求更趋严格，而出现了65nm节点以后为0.5μm以下，较好为0.25μm的要求。

通常，防尘薄膜组件框架的平坦度为20至80μm左右，若将采用平坦度如此低的框架的防尘薄膜组件贴附于掩模上，则框架的形状会转印到掩模上，掩模会发生变形。防尘薄膜组件在贴附时会以约200至400N(20至40kg重)的巨大作用力推压于掩模。掩模表面的平坦度较防尘薄膜组件框架为平坦。因此，对于掩模的推压一旦结束，防尘薄膜组件框架有回复原有形状的倾向，而使掩模产生变形。

在掩模产生变形时，有时掩模的平坦度会变差，在此情形下，在曝光装置内会发生失焦(defocus)的问题。另一方面，有时会发生掩模变形而平坦度变好的情形，但在此情形下，形成于掩模表面的图案也发生扭曲，其结果会发生在曝光时转印至晶圆的图案影像扭曲的问题。此图案的扭曲在平坦度变差的情形也发生，其结果是：在因贴附防尘薄膜组件而造成掩模变形的场合，必然发生图案影像扭曲的问题。

为了解决该问题，过去一直有人在进行对于平坦度良好的防尘薄膜组件框架的开发。但是，防尘薄膜组件框架容易因为制造步骤或掩模贴附步骤所产生的力或热而发生变形，特别是因温度变化所造成的影响巨大。因此，对于防尘薄膜组件框架而言，针对热变形的对策极为必要。

发明内容

发明要解决的问题

本发明所要解决的问题为：鉴于前述情形，而抑制因热变形所造成的防尘薄膜组件框架的变形，而(1)提供一种防尘薄膜组件框架的制造方法，即使将防尘薄膜组件贴附于曝光原版，也可将起因于防尘薄膜组件框架的变形所造成的曝光原版的变形尽量减小。(2)提供一种光刻用防尘薄膜组件，具有如上所述的防尘薄膜组件框架。

用于解决问题的方案