[发明专利]圆形硅薄膜微机电压力传感器有效
申请号: | 201010501581.9 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102012287A | 公开(公告)日: | 2011-04-13 |
发明(设计)人: | 李伟华 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;B81B3/00 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 圆形 薄膜 微机 压力传感器 | ||
1.一种圆形硅薄膜微机电压力传感器,其特征在于该传感器的最下层是玻璃基片(107),在玻璃基片(107)上设有N型硅衬底(101),在N型硅衬底(101)中间与玻璃基片(107)之间设有圆形空腔(106),圆形P型掺杂薄层(102)覆盖整个位于圆形空腔(106)上方的N型硅衬底(101)的硅薄膜,作为传感层的微机电压力传感器结构,并且P型掺杂薄层(102)的厚度等于该硅薄膜厚度的一半,采用圆形的P型掺杂薄层(102)作为传感层;在N型硅衬底(101)和圆形P型掺杂薄层(102)的上表面覆盖了二氧化硅层(103),二氧化硅层上是即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极(105)。
2.根据权利要求1所述的圆形硅薄膜微机电压力传感器,其特征在于所述圆形的P型掺杂薄层(102),在其一周沿着圆形的P型掺杂薄层(102),均匀分布连接着16个即可用于电流激励也可用于电压测量的金属电极(105);利用圆形的P型掺杂薄层(102)的电阻率分布随压力变化而发生变化的原理进行压力传感。
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