[发明专利]集成电路的形成方法

权利要求书

1.一种集成电路的形成方法，包括：

形成一栅极介电结构于一基板上；

形成一含钛牺牲层接触该栅极介电结构；以及

实质上移除全部的该含钛牺牲层。

2.如权利要求1所述的集成电路的形成方法，其中该含钛牺牲层的厚度小于或等于约且该含钛牺牲层包括氮化钛、氮氧化钛、二氧化钛、一氧化钛、碳化钛、碳氧化钛、或上述的组合。

3.如权利要求1所述的集成电路的形成方法，在实质上移除全部的该含钛牺牲层的步骤后，还包括：

形成一含钛栅极层于该栅极介电结构上。

4.一种集成电路的形成方法，包括：

形成一高介电常数的栅极介电层于一基板上，其中该高介电常数的栅极介电层的表面上具有至少一含碳有机化学品；

形成一含钛牺牲层覆盖该高介电常数的栅极介电层，其中该含钛牺牲层中的钛含量用以与至少一该含碳有机化学品实质上作用以形成一产物；以及

实质上移除全部的该含钛牺牲层与该产物。

5.如权利要求4所述的集成电路的形成方法，其中该含钛牺牲层的厚度小于或等于约且该含钛牺牲层包括氮化钛、氮氧化钛、二氧化钛、一氧化钛、碳化钛、碳氧化钛、或上述的组合。

6.一种集成电路的形成方法，包括：

以一光致抗蚀剂层图案化一高介电常数的栅极介电层上的一盖层，该盖层覆盖该高介电常数的栅极介电层的第一部分，并露出该高介电常数的栅极介电层的第二部分的表面；

移除该光致抗蚀剂层；

形成一含钛牺牲层覆盖该盖层与该高介电常数的栅极介电层的第二部分的表面；

实质上移除全部的该含钛牺牲层；以及

形成一含钛栅极材料于该高介电常数的栅极介电层上。

7.如权利要求6所述的集成电路的形成方法，其中该含钛牺牲层的厚度小于或等于约且该含钛牺牲层包括氮化钛、氮氧化钛、二氧化钛、一氧化钛、碳化钛、碳氧化钛、或上述的组合。

8.如权利要求6所述的集成电路的形成方法，其中该含钛栅极材料与该含钛牺牲层的材质相同。

9.如权利要求6所述的集成电路的形成方法，其中移除该光致抗蚀剂层的步骤形成至少一含碳有机残留物于该盖层与该高介电常数的栅极介电层的第二部分上。

10.如权利要求9所述的集成电路的形成方法，其中该含钛牺牲层直接接触至少一该含碳有机残留物，使该含钛牺牲层的钛成份与至少一该含碳有机残留物作用以形成一产物，且其中实质上移除全部的该含钛牺牲层的步骤实质上移除至少一该含碳有机残留物与该产物。