[发明专利]栅极结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010501915.2 | 申请日： | 2010-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102044423A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;黄益成;徐帆毅;欧阳晖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 制造 方法 | ||
1.一种栅极结构的制造方法，包括：
于一基板上依序沉积与图案化一假氧化物层与一假栅极电极层；
使一含氮介电层与一层间介电层环绕该假氧化物层与该假栅极电极层；
移除该假栅极电极层；
于一第一温度下，暴露该假氧化物层的一表面于含氨气与含氟化合物的一气态混合物中，以移除该假氧化物层；
加热该基板至高于该第一温度的一第二温度，以于该含氮介电层内形成一开口；
沉积一栅极介电物；以及
沉积一栅极电极。
2.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该第一温度介于20-70℃，而该第二温度介于90-200℃。
3.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该开口的宽度介于约15-45纳米，而该开口的高度介于30-60纳米。
4.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该开口的高度与宽度间具有约1.5-4的一比例。
5.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中沉积一栅极介电物的步骤包括于该开口内形成具有厚度少于2纳米的一高介电常数介电层，而其中沉积一栅极电极的步骤包括于该开口内形成具有一栅极长度少于32纳米的一栅极电极。
6.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该气态混合物对于该假氧化物层与该含氮介电层的移除率的比例大于2，而该气态混合物对于该假氧化物层与该基板的移除率的比例大于100。
7.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中含氟化合物为择自由氰氟酸与三氟化氮所组成族群的一化合物。
8.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中该气态混合物包括氨气与三氟化氮。
9.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，其中移除该假氧化物层的步骤包括通入一载气于该基板上。
10.如权利要求1所述的栅极结构的制造方法，还包括形成一接触蚀刻停止层于该含氮介电层与该层间介电层之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
