[发明专利]一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法

权利要求书

1.一种消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，在硅衬底上形成栅电极；

第二步，LDD注入，在栅电极侧壁形成侧墙；

第三步，源漏注入及快速热退火；

第四步，生长磷硅玻璃薄膜，该步骤具体为：首先进行晶圆加热，然后淀积磷硅玻璃；在淀积磷硅玻璃之前的晶圆加热过程中引入还原性气体，抑制基体硅表面被氧化；

第五步，自对准接触孔刻蚀。

2.如权利要求1所述的消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，在第四步中，所述的磷硅玻璃薄膜采用高密度等离子化学气相淀积工艺制备。

3.如权利要求1所述的消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，在第四步中，在高密度等离子化学气相淀积磷硅玻璃前的晶圆基体加热阶段，通过引入还原性气体，抑制基体硅表面被氧化，从而获得完全掺杂的磷硅玻璃薄膜。

4.如权利要求3所述的消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，在第四步中，所述引入的还原性气体为能与二氧化硅反应的气体或是能与氧气反应从而抑制硅氧化的气体，并且反应后的生成物皆为气体。

5.如权利要求4所述的消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，在第四步中，所述引入的还原性气体为HF，F₂，NF₃或H₂。

6.如权利要求3所述的消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，在第四步中，所述的还原性气体只在淀积磷硅玻璃之前的晶圆加热阶段使用，还原性气体的流入量为10-100sccm，加热时间为20～60秒，当加热时间到达后，关闭还原性气体，再通入淀积磷硅玻璃的反应源气体。

7.如权利要求2或6所述的消除磷硅玻璃初始氧化膜的方法，其特征在于，在第四步中，所述淀积磷硅玻璃的反应源气体是SiH₄、O₂、PH₃和Ar或者是SiH₄、O₂、PH₃和He；当SiH₄通入时淀积磷硅玻璃即开始。