[发明专利]一种POSS改性高阻隔三层共挤包装薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜，其特征在于包括外、中、里三层，其中外层薄膜组份为10％～20％的低密度聚乙烯、74％～87％的线型低密度聚乙烯和3％～6％多面体低聚倍半硅氧烷改性剂，中层薄膜组份为85％～90％的乙烯-乙烯醇共聚物和10％～15％的增容树脂，里层薄膜组份为10％～20％的低密度聚乙烯，79％～89％的线型低密度聚乙烯和1％的开口剂。

2.如权利要求1所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜，其特征在于所述多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的厚度为40～60μm。

3.如权利要求1或2所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜，其特征在于所述多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的外层薄膜的厚度、中层薄膜的厚度和里层薄膜的厚度相同。

4.如权利要求1所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜，其特征在于所述增容树脂为PE-g-MAH。

5.如权利要求1所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜，其特征在于所述开口剂为油酸酰胺。

6.如权利要求1所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜，其特征在于所述多面体低聚倍半硅氧烷改性剂的结构式如下：

其中：R＝-i-C₄H₉，n＝1～6。

7.如权利要求1所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)多面体低聚倍半硅氧烷改性剂的制备：

氮气保护下，在反应体系中依次加入(i-C₄H₉)₇Si₈O₉(OH)₃19.9％～21.1％，四氢呋喃64.4％～67.0％和Et₃N 7.6％～8.1％，再注入正烷基三氯硅烷CH₃(CH₂)_nCH₂SiCl₃4.7％～6.6％，n＝1～6，搅拌反应后，过滤，滤液旋转蒸发，得到淡黄色固体粉末，然后在甲苯和乙腈的溶液中结晶，得到多面体低聚倍半硅氧烷改性剂；

2)含多面体低聚倍半硅氧烷改性剂的外层薄膜母粒的制备：

按外层薄膜组份配比将低密度聚乙烯10％～20％、线型低密度聚乙烯74％～87％、多面体低聚倍半硅氧烷改性剂3％～6％放入搅拌机中混合，然后造粒，烘干；

3)多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的制备：

按中层薄膜组份和里层薄膜组份配比，分别将中层薄膜原料85％～90％的乙烯-乙烯醇共聚物和10％～15％的增容树脂，里层薄膜原料10％～20％的低密度聚乙烯，79％～89％的线型低密度聚乙烯和1％的开口剂在搅拌机中混合，然后在三层共挤流延膜机生产线上，将外层母粒、中层和里层原料分别进行混合熔融塑化，通过剂量共挤出流延，得到多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜。

8.如权利要求7所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述搅拌反应的时间为12～20h；得到多面体低聚倍半硅氧烷改性剂后在50～70℃下真空干燥12h后备用。

9.如权利要求7所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述造粒，用双螺杆挤出机熔融挤出造粒，所述双螺杆挤出机的9区加热温度分别为170～180℃，180～200℃，200～220℃，210～220℃，210～220℃，200～210℃，190～210℃，190～200℃，180～190℃。

10.如权利要求7所述的一种多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的厚度为40～60μm；所述多面体低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三层共挤包装薄膜的外层薄膜的厚度、中层薄膜的厚度和里层薄膜的厚度相同。