[发明专利]分析位置的方法与装置

权利要求书

1.一种分析位置的方法，其特征在于其包括以下步骤：

由多个感测器取得相应于至少一第一外部物件接近或触碰一信号源的一触敏资讯，其中该至少一第一外部物件电性耦合于至少一第二外部物件，并且该触敏资讯相应于该些感应器互电容耦合于该信号源、该至少一第一外部物件及该至少一第二外部物件的信号；

决定该触敏资讯中相应于该至少一第一外部物件的一特性；以及

仅在该触敏资讯中符合该特性的部分分析相应于该至少一第一外部物件接近或触碰的位置。

2.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于更包括：

滤除该触敏资讯中与该特性相反的部分。

3.根据权利要求2所述的分析位置的方法，其特征在于其中在该触敏资讯中被滤除的触敏资讯是以一预设值取代。

4.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于其中所述的至少一第一外部物件藉由电容性耦合接收一信号，并且该些感测器由该至少一第二外部物件电容性耦合该信号。

5.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于其中该些感测器与该至少一第一外部物件间的互电容耦合的信号的一升降顺序与该些感测器与该至少一第二外部物件间的互电容耦合的信号的该升降顺序相反。

6.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于其中所述的至少一第一外部物件接近或触碰的位置的分析包括：

以一门槛限值分析出该触敏资讯中符合该特性的部分；

依据该触敏资讯中符合该特性的部分分析该至少一第一外部物件接近或触碰的位置。

7.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于其中所述的至少一第一外部物件接近或触碰的位置的分析包括：

以一正门槛限值、一负门槛限值或两者的组合分析出该触敏资讯中符合该特性的部分；

依据该触敏资讯中符合该特性的部分分析该至少一第一外部物件接近或触碰的位置，其中该特性为大于该正门槛限值部分后的零交会处、小于该负门槛限值部分前的零交会处或两者的组合。

8.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于其中所述的触敏资讯中相应于单一第一外部物件的部分为正值或负值，并且该触敏资讯中相应于单一第二外部物件的部分与该触敏资讯中相应于单一第一外部物件的部分相反。

9.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于其中所述的触敏资讯相应于该至少一第一外部物件的部分除零交会处外，为至少一正值与至少一负值的交替组合，其中该触敏资讯中相应于至少一第一外部物件的部分是由至少一正值或至少一负值开始，并且该触敏资讯中相应于该至少一第二外部物件的部分与该触敏资讯中相应于该至少一第一外部物件的部分相反。

10.根据权利要求1所述的分析位置的方法，其特征在于其中该特性相应于该触敏资讯的值一升降顺序，该特性为先升后降或先降后升。

11.一种分析位置的装置，其特征在于其包括：

包括多个感测器的一感测装置；以及

一控制器，执行下列作业：

由多个感测器取得相应于至少一第一外部物件接近或触碰一信号源的一触敏资讯，其中该至少一第一外部物件电性耦合于至少一第二外部物件，并且该触敏资讯相应于该些感应器互电容耦合于该信号源、该至少一第一外部物件及该至少一第二外部物件的信号；

决定该触敏资讯中相应于该至少一第一外部物件的一特性；以及

仅在该触敏资讯中符合该特性的部分分析相应于该至少一第一外部物件接近或触碰的位置。

12.根据权利要求11所述的分析位置的装置，其特征在于更包括执行下列作业：

滤除该触敏资讯中与该特性相反的部分。

13.根据权利要求12所述的分析位置的装置，其特征在于其中在该触敏资讯中被滤除的触敏资讯是以一预设值取代。

14.根据权利要求11所述的分析位置的装置，其特征在于其中所述的至少一第一外部物件藉由电容性耦合接收一信号，并且该些感测器由该至少一第二外部物件电容性耦合该信号。