[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括基座、贴装于所述基座上的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

连接于基座的电极层，所述电极层具有金字塔阵列结构表面，所述金字塔阵列结构表面作为发光二极管的反射面；

位于所述电极层表面的发光二极管管芯，所述发光二极管管芯在发光二极管的出光面具有多孔状表面。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管管芯自电极层起依次包括N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述多孔状表面位于P型半导体层上。

3.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述多孔状表面的孔径为200nm，孔深为150nm。

4.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述多孔状表面的孔密度为1×10⁴～1×10¹⁰个/平方毫米。

5.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述P型半导体层的多孔状表面具有透明电极。

6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述透明电极为镍或金薄膜，厚度为50nm。

7.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述N型半导体层为N型掺杂的氮化镓，所述P型半导体层为P型掺杂的氮化镓。

8.如权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述有源层为多量子阱有源层结构，材质为氮化铟镓。

9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，电极层的材质为钛、铝或金。

10.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括设置于基板上的第一引脚和第二引脚，所述第一引脚连接电极层和电源负极，所述第二引脚连接透明电极和电源正极。

11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述第二引脚通过金丝引线与透明电极连接。

12.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述基座上还设置有反射层，所述反射层围绕于发光二极管的周围，形成容纳发光二极管的凹槽。

13.如权利要求12所述的发光装置，其特征在于，所述凹槽内填充有覆盖所述发光二极管的封装树脂。

14.如权利要求13所述的发光装置，其特征在于，所述封装树脂的表面具有透镜结构。

15.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在衬底表面形成金字塔阵列结构；

在具有金字塔阵列结构表面的衬底上形成发光二极管管芯，所述发光二极管管芯相对衬底的另一侧具有多孔状表面；

去除衬底，并在原衬底的位置形成电极层；

提供基座，将发光二极管管芯及其底部的电极层安装于基座上。

16.如权利要求15所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述提供衬底，在衬底表面形成金字塔阵列结构的步骤包括：提供衬底，在所述衬底上沉积介质层，并图形化所述介质层，形成格子状硬掩膜；以所述硬掩膜为掩膜蚀刻所述衬底，形成金字塔结构；去除所述硬掩膜。

17.如权利要求16所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述衬底为(100)晶面的P型掺杂的硅衬底，所述以硬掩膜为掩膜蚀刻所述衬底，形成金字塔阵列结构的步骤包括采用四甲基氢氧化氨溶液对所述衬底进行湿法腐蚀，形成以(111)晶面为侧面、(100)晶面为底面的金字塔阵列结构；所述(111)晶面为发光二极管管芯的形成面。

18.如权利要求17所述的发光装置的制造方法，其特征在于，采用四甲基氢氧化氨溶液对所述衬底进行湿法腐蚀的步骤中，腐蚀的时间为20分钟，腐蚀的温度为60～80℃。

19.如权利要求17所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述金字塔阵列结构中，金字塔侧面与底面的夹角为54.74°。

20.如权利要求17所述的发光装置的制造方法，其特征在于，所述金字塔阵列结构中，金字塔的密度为4×10⁴～1×10⁸个/平方毫米。