[发明专利]纳米结构的后沉积包封:组合物、器件及包含它们的系统有效
| 申请号： | 201010503565.3 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102054527A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | J·A·怀特佛德;R·部鲁尔;M·布勒堤;陈建;K·C·克鲁登;段镶锋;W·P·弗里曼;D·希尔德;F·利昂;刘超;A·麦瑟;K·S·闵;J·W·帕斯;E·西尔 | 申请（专利权）人： | 奈米系统股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;C09D1/00;B82B1/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 沉积 组合 器件 包含 它们 系统 | ||
1.电荷存储器或存储器，包含许多含金属核和Si2O壳的离散纳米结构，其中，单元纳米结构和其壳一起的直径小于或等于50纳米，单元纳米结构排列成单层阵列，其存在的密度大于1×1012/厘米2。
2.如权利要求1所述的电荷存储器或者存储器，其特征在于，单元纳米结构和其壳一起的直径小于或等于20纳米。
3.如权利要求1所述的电荷存储器或者存储器，其特征在于，单元纳米结构和其壳一起的直径小于或等于10纳米。
4.如权利要求1所述的电荷存储器或者存储器，其特征在于，金属核是钯、铂、铱、金、银、镍、铁、锡、锌、钛或钴芯。
5.离散的涂覆纳米结构，它包含：
具有第一涂层的单个纳米结构；第一涂层包含硅倍半氧烷和一个或多个与该纳米结构结合的胺部分，每一个胺部分各自与硅倍半氧烷连接。
6.许多如权利要求5所述的涂覆纳米结构，纳米结构在基材表面的存在密度大于1×1012/厘米2。
7.如权利要求5所述的涂覆纳米结构，其特征在于，第一涂层包封所述纳米结构。
8.如权利要求5所述的涂覆纳米结构，其特征在于，所述纳米结构是金属纳米结构。
9.如权利要求5所述的涂覆纳米结构，其特征在于，每个胺部分各自独立地与硅倍半氧烷相连。
10.含涂覆纳米结构的组合物，它包含：
许多纳米结构；和
将每个单元纳米结构隔分的涂层，其中，所述涂层包含硅，所述涂层包含许多与单个单元纳米结构表面相连的胺部分；
其中，在沉积涂层并将所述部分与单元纳米结构表面结合以后，所述涂层可转变为氧化硅壳。
11.如权利要求10所述的涂覆纳米结构，其特征在于，所述涂层包含硅倍半氧烷。
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