[发明专利]发光二极管、发光装置以及发光二极管的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，本发明涉及一种发光二极管、发光装置以及发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是响应电流而被激发从而产生各种颜色的光的半导体器件。其中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。

然而，目前半导体发光二极管存在着发光效率低的问题。对于未经封装的发光二极管，其出光效率一般只有百分之几。大量的能量聚集在器件内部不能出射，既造成能量浪费，又影响器件的使用寿命。因此，提高半导体发光二极管的出光效率至关重要。

基于上述的应用需求，许多种提高发光二极管出光效率的方法被应用到器件结构中，例如表面粗糙化法，金属反射镜结构等。公开号为CN1858918A的中国专利申请公开了一种发光二极管，所述的发光二极管下表面形成全角度反射镜结构，可以提高发光二极管出光效率。然而，该方法需要在衬底上形成多层由高折射率层与低折射率层堆叠而成的薄膜结构，制作工艺复杂。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种发光二极管，以提高发光效率。

为解决上述问题，本发明提供一种发光二极管，包括：衬底，位于所述衬底上的发光二极管管芯，所述衬底背向发光二极管管芯的一侧形成有一个以上锥形凹坑，所述锥形凹坑的侧壁上覆盖有反射膜，所述反射膜的反射面贴附于锥形凹坑的侧壁上。

相应地，本发明还提供一种发光装置，包括发光二极管、基座、帽层、第一引脚、第二引脚，所述发光二极管包括衬底，位于所述衬底上的发光二极管管芯，所述衬底背向发光二极管管芯的一侧形成有一个以上锥形凹坑，所述锥形凹坑的侧壁上覆盖有反射膜，所述反射膜的反射面朝向锥形凹坑的侧壁；所述基座包括装配凹坑，所述装配凹坑用于设置所述发光二极管；所述帽层，覆盖于基座和发光二极管之上；所述第一引脚、第二引脚分别位于基座的两侧，所述第一引脚连接于发光二极管和电源负极；所述第二引脚，连接于发光二极管和电源正极。

相应地，本发明还提供一种发光二极管的制造方法，包括提供衬底，在衬底上形成发光二极管管芯；从背向发光二极管管芯的一侧减薄所述衬底；在衬底上形成锥形凹坑；在所述锥形凹坑的侧壁上涂覆反射膜。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1.衬底上背向发光二极管管芯的一侧包括锥形凹坑，并且所述锥形凹坑的侧壁上覆盖有反射膜，所述反射膜的反射面贴附于锥形凹坑的侧壁上，可以将发光二极管管芯发出、且透过衬底的光反射至发光二极管的出光面，提高了发光效率；

2.发光装置的帽层在发光二极管的出光方向上具有透镜结构，可以会聚发光二极管发出的光，提高亮度；

3.发光二极管的制造方法中，在衬底上形成锥形凹坑，并在锥形凹坑的侧壁上涂覆反射膜即可，制造方法较为简单。

附图说明

图1是本发明发光二极管一实施例的剖面结构示意图；

图2是本发明发光装置一实施例的剖面结构示意图；

图3是本发明发光二极管制造方法一实施方式的流程图；

图4是图3所示步骤s3一实施例的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

正如背景技术所述，为提高发光二极管的出光效率，现有技术的发光二极管需要在衬底上形成多层由高折射率层与低折射率层堆叠而成的薄膜结构，但所述薄膜结构的制作工艺复杂。

针对上述问题，本发明的发明人提供了一种发光二极管，所述发光二极管的衬底背向发光二极管管芯的一侧包括锥形凹坑，并且所述锥形凹坑的侧壁上覆盖有反射膜，所述反射膜的反射面贴附于锥形凹坑的侧壁上，可以将发光二极管管芯发出、且透过衬底的光反射至发光二极管的出光面，提高了发光效率。