[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一基底；

在该基底上方形成一保护层，该保护层具有一贯穿的开口及一第一厚度；

通过该开口，在该基底的一第一区内注入一掺杂物，而该保护层防止该掺杂物注入该基底的一第二区，该第二区不同于该第一区；以及

将该保护层的厚度缩减至小于该第一厚度的一第二厚度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在进行该注入之前，在该基底内形成开口向上的一凹口，其对准该开口。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在进行该注入之前，在该保护层上方形成一富含硅的氧化层，该氧化层做为一抗反射层；

在进行该注入之前，在该基底的该凹口内的一表面上生成一氧化衬层；

在缩减该保护层的厚度之后，在该凹口内填入一介电材料；以及

对该介电材料进行一化学机械研磨工艺；

其中该凹口内的该介电材料构成一隔离结构的一部分。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中以该保护层做为该化学机械研磨工艺的一停止层。

5.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，包括进行该凹口的制作步骤，使该凹口具有一深度在2500埃至4000埃的范围，且具有一宽度在1500埃至2100埃的范围。

6.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，包括进行该氧化层的制作步骤而使该氧化层具有一厚度在100埃至400埃的范围、进行该保护层的制作步骤而使该第一厚度在1500埃至2000埃的范围以及进行缩减该保护层的厚度的步骤而使该第二厚度在500埃至800埃的范围。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，包括进行该保护层的制作步骤而使该保护层包括一介电材料。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中进行缩减该保护层的厚度的步骤使该第二厚度为该第一厚度的一半。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一基底；

进行一蚀刻工艺，包括蚀刻该基底，以在其内形成开口向上的一凹口；

通过该基底的该凹口内的一表面以及通过位于该基底上方的一保护层内的一开口，在该基底的一区内注入一掺杂物，该开口对准该凹口，且该保护层具有一第一厚度并防止该掺杂物注入该保护层下方的该基底的区域；以及

将该保护层的厚度缩减至小于该第一厚度的一第二厚度。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，还包括：

在进行该注入之前，在该保护层上方形成一氮氧化层；

在进行该注入之前，在该基底的该凹口内的一表面上生成一氧化衬层；

在缩减该保护层的厚度之后，在该凹口内填入一介电材料；以及

对该介电材料进行一化学机械研磨工艺；

其中该凹口内的该介电材料构成一浅沟槽隔离结构的一部分。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中以该保护层做为该化学机械研磨工艺的一停止层。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，包括形成该保护层而使该保护层包括另一介电材料，其不同于使用于形成该浅沟槽隔离结构的该介电材料。

13.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，包括形成该凹口而使该凹口具有一深度在2500埃至4000埃的范围，且具有一宽度在1500埃至2100埃的范围，且包括形成该氮氧化层而使该氮氧化层具有一厚度在100埃至400埃的范围、进行该保护层的制作步骤而使该第一厚度在1500埃至2000埃的范围以及进行缩减该保护层的厚度的步骤而使该第二厚度在500埃至800埃的范围。