[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201010503957.X | 申请日: | 2010-10-12 |
公开(公告)号: | CN102053436A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 奇桐贤;郑美惠;赵世衡;金东奎;白承洙;罗惠锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王青芝 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器和一种制造该液晶显示器的方法,更具体地讲,涉及一种具有高透射率和无图像缺陷特性的液晶显示器和一种制造该液晶显示器的方法。
背景技术
透射率定义为透射的光的最大强度与入射在液晶面板上的光的强度之比,由于透射率对最终产品的功耗和亮度有着决定性的影响,所以透射率是液晶面板的一个重要特性。透射率可以随着诸如滤色器特性、液晶驱动模式的类型、薄膜晶体管基底的开口率等多个参数而变化。第10-2009-0024031号韩国专利申请公开披露了一种示例性液晶驱动模式,该液晶驱动模式与传统的液晶驱动模式相比具有进一步提高的透射率,该韩国专利申请公开通过引用包含于此。这种液晶驱动模式的特征在于初始垂直取向、水平电场和高电压驱动,并且这种液晶驱动模式被开发成实现了快速响应特性和宽的视角特性。已知的是,假设液晶的响应速度被设定成与传统驱动模式相关的水平,使用这种驱动模式的透射率比传统的液晶驱动模式提高了大约10%。
这种新的液晶驱动模式对每个像素需要两条数据线,因而这增加了数据驱动器通道的数量。另外,这种液晶驱动模式在与如第10-2008-0025498号韩国专利申请公开中所公开的结构组合时会进一步增加所需要的数据线的数量,所述结构即通过同时接通两条数据线获得驱动容限(driving margin)以进行高分辨率快速驱动的结构,其中,该韩国专利申请公开通过引用包含于此。
第10-2008-0056321号韩国专利申请公开了共数据线的引入,以将一个像素所需的数据线的数量大大减少到一条,该韩国专利申请通过引用包含于此。在第10-2008-0056321号韩国专利申请中,一个像素的两个像素电极分别电容性地耦合到不同的数据线。
参照图1,为了克服图像品质的下降,根据第10-2009-0043720号韩国专利申请的液晶显示器的构造方式是,一个像素的两个像素电极电容性地耦合到相邻的两条数据线,以具有相同的电容,该韩国专利申请通过引用包含于此。
参照图1,第一像素电极P1位于第二像素电极P2附近,以使区域A和区域B中的透射率损失最小化。
此外,如图1中的C所示,第一像素电极P1和第二像素电极P2之一不可避免地与薄膜晶体管的漏电极叠置。
发明内容
本发明的实施例提供了一种能够使第一像素电极和相邻数据线之间的寄生电容与第二像素电极和相邻数据线之间的寄生电容基本相同的液晶显示装置及一种制造该液晶显示装置的方法。
根据实施例,一种液晶显示装置包括形成在每个像素处的第一像素电极和第二像素电极。第一像素电极和第二像素电极形成在同一层上并且相互绝缘。在第一像素电极和第二像素电极之间产生电场。
第一像素电极被分成通过连接桥彼此电连接的两个或更多的部分。连接桥由导电层形成,该导电层不同于形成像素电极的导电层。
第一像素电极电容性地耦合到相邻的第一数据线的下部和相邻的第二数据线的上部。
第二像素电极电容性地耦合到相邻的第一数据线的上部和相邻的第二数据线的下部。
像素电极与它们的相邻数据线之间的距离和/或叠置面积被设计成使第一像素电极和相邻的第一数据线之间的寄生电容与第二像素电极和相邻的第一数据线之间的寄生电容基本相同,并使第一像素电极和相邻的第二数据线之间的寄生电容与第二像素电极和相邻的第二数据线之间的寄生电容基本相同。
附图说明
图1是示出了根据现有技术的薄膜晶体管基底的像素布局的平面图;
图2是示出了根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管基底的像素布局的平面图;
图3是图2中的E部分的放大的平面图;
图4是具有突起部件PP的结构和不具有突起部件的结构之间就产生的织构量进行对比的模拟示图;
图5是图2中的D部分的放大的平面图;
图6是沿图5中的I-J线截取的剖视图;
图7是将根据图2中示出的示例性实施例的薄膜晶体管基底的透射率与现有技术的薄膜晶体管基底的透射率进行对比的模拟示图;
图8是示出了根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管基底的像素布局的平面图;
图9是沿图8中的K-L线截取的剖视图;
图10是示出了根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管基底的像素布局的平面图;
图11是沿图10中的M-N线截取的剖视图;
图12是示出了根据本发明示例性实施例的薄膜晶体管基底的像素布局的平面图;
图13是沿图12中的O-P线截取的剖视图;
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