[发明专利]多层金属互连金属线的电迁移可靠性测试结构及制备方法

权利要求书

1.一种多层金属互连金属线的电迁移可靠性测试结构，其特征在于：所述测试结构包括多层金属线，所述金属线的长度为大于等于200微米，金属线的其它参数与所要测试的芯片设计要求相同，每两层金属线之间采用通孔连接，形成类“弓”字结构；其中第一层金属线中远离通孔的一端和顶层金属线中远离通孔的一端分别为设置有电流输入端；所述各层金属线两端分别设置有电压量测端。

2.按照权利要求1所述的测试结构，其特征在于：所述电流输入端的线宽为所述金属线线宽的5倍。

3.按照权利要求1或2所述的测试结构，其特征在于：所述金属线的长度为400微米。

4.一种如权利要求1所述的测试结构的制备方法，其特征在于：

步骤一，将所述测试结构设计在芯片的空白区域，整合到芯片制备的后道金属化工艺中，完成整个芯片的制备；

步骤二，在芯片切割的同时切割出所述测试结构，后进行封装待用。