[发明专利]等离子体反应腔室及其设备、部件的制造方法和处理基片的方法

权利要求书

1.一种等离子体反应腔室，所述反应腔室内的部件在工艺过程中具有一个或多个表面与等离子体接触，其特征在于，所述部件与等离子接触的表面经过粗化处理，以增强工艺过程中产生的聚合物与所述部件表面的结合度。

2.根据权利要求1所述的等离子体反应腔室，其特征在于，所述部件包括上电极板、内衬和载板中的一种或多种。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体反应腔室，其特征在于，所述部件的表面粗糙度为3微米至50微米。

4.根据权利要求1所述的等离子体反应腔室，其特征在于，所述粗化处理包括喷砂、AL融射、NI-AL融射和NI-Cr融射中的一种或多种。

5.一种等离子体反应腔室部件的制造方法，所述等离子体反应腔室的部件在工艺过程中具有一个或多个与等离子体接触的表面，其特征在于，该方法包括：对所述部件与等离子体接触的表面进行粗化处理，形成具有一定表面粗糙度的部件。

6.根据权利要求5所述的等离子体反应腔室部件的制造方法，其特征在于，所述部件由包括上电极板、内衬、载板、等离子体约束环和下电极板中的一种或多种。

7.根据权利要求5或6所述的等离子体反应腔室部件的制造方法，其特征在于，所述部件的表面粗糙度为5微米至30微米。

8.根据权利要求5所述的等离子体反应腔室部件的制造方法，其特征在于，所述粗化处理包括喷砂、AL融射、NI-AL融射和NI-Cr融射中的一种或多种。

9.一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括顺次连接的预热腔、反应腔室、冷却腔，其特征在于，所述反应腔室为如权利要求1-4任意一项所述的等离子体反应腔室。

10.一种在根据权利要求9所述的化学气相沉积设备内处理基片的方法，其特征在于，该方法包括等离子体与基片的裸露表面相接触的步骤。

11.根据权利要求10所述的处理基片的方法，其特征在于，所述等离子体与基片的裸露表面相接触的步骤包括：

将基片经过预热腔预热到预设温度后传入反应腔室；

将工艺气体导入所述反应腔室；

将RF能量作用于工艺气体上，以在所述反应腔室内形成等离子体；

利用等离子体对基片的裸露表面进行沉积薄膜；

将沉积薄膜后的基片从反应腔室传入冷却腔。

12.根据权利要求11所述的处理基片的方法，其特征在于，所述工艺气体包括至少一种可形成聚合物的物质。