[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010504391.2 申请日: 2010-10-12
公开(公告)号: CN102097432A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 刘巍 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L29/06;H01L21/82;H01L21/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其特征在于,包括:

具有光器件区域和电器件区域的半导体衬底;

刻蚀所述光器件区域形成的光导层;

形成于所述光导层下方的半导体衬底中的第一氧化层;

覆盖所述光导层表面的第三氧化层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体衬底的材料是硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述光导层的材料是硅。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第一氧化层的材料是二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第三氧化层的材料是二氧化硅。

6.根据权利要求1所述半导体器件,其特征在于,所述第一氧化层的厚度范围是1微米至2微米。

7.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法,其特征在于,所述光导层的边缘呈阶梯结构。

8.一种根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:

提供半导体衬底,所述半导体衬底包括光器件区域和电器件区域;

刻蚀所述光器件区域形成光导层;

在所述光导层的表面形成第二氧化层;

利用湿法刻蚀的方式去除所述第二氧化层;

形成覆盖所述光导层表面的第三氧化层;

在所述半导体衬底中注入氧离子,以在所述光导层下方的半导体衬底中形成第一氧化层。

9.根据权利要求8所述半导体器件的制造方法,其特征在于,利用干法刻蚀的方式刻蚀所述光器件区域形成光导层。

10.根据权利要求8所述半导体器件的制造方法,其特征在于,利用化学气相沉积的方式形成覆盖所述光导层表面的第三氧化层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010504391.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top