[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010504391.2 | 申请日： | 2010-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102097432A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/06;H01L21/82;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
具有光器件区域和电器件区域的半导体衬底；
刻蚀所述光器件区域形成的光导层；
形成于所述光导层下方的半导体衬底中的第一氧化层；
覆盖所述光导层表面的第三氧化层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底的材料是硅。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光导层的材料是硅。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化层的材料是二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三氧化层的材料是二氧化硅。
6.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一氧化层的厚度范围是1微米至2微米。
7.根据权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光导层的边缘呈阶梯结构。
8.一种根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括光器件区域和电器件区域；
刻蚀所述光器件区域形成光导层；
在所述光导层的表面形成第二氧化层；
利用湿法刻蚀的方式去除所述第二氧化层；
形成覆盖所述光导层表面的第三氧化层；
在所述半导体衬底中注入氧离子，以在所述光导层下方的半导体衬底中形成第一氧化层。
9.根据权利要求8所述半导体器件的制造方法，其特征在于，利用干法刻蚀的方式刻蚀所述光器件区域形成光导层。
10.根据权利要求8所述半导体器件的制造方法，其特征在于，利用化学气相沉积的方式形成覆盖所述光导层表面的第三氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
