[发明专利]绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管，以及第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；第一金属氧化物半导体场效应晶体管与第二金属氧化物半导体场效应晶体管共用栅极区(10)，并且围绕栅极区(10)依次布置有第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(20)、第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(30)、第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(40)、以及第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(50)，其特征在于，还包括第一补偿区(60)和第二补偿区(70)，所述第一补偿区(60)设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(30)与栅极区(10)之间，所述第二补偿区(70)设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(50)与栅极区(10)之间，第一补偿区(60)和第二补偿区(70)与栅极区(10)的导电类型相同，并且，所述第一补偿区(60)和第二补偿区(70)的掺杂浓度大于栅极区(10)的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体场效应晶体管为P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管为N型金属氧化物半导体场效应晶体管。

3.如权利要求2所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述栅极区(10)掺杂有P型杂质离子。

4.如权利要求3所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一补偿区(60)和第二补偿区(70)掺入了硼离子。

5.如权利要求4所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(30)和漏极区(50)掺入了砷离子。

6.如权利要求1或5所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一补偿区(60)和第二补偿区(70)是利用倾斜离子注入工艺形成的。

7.如权利要求6所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述倾斜离子注入工艺的注入能量为10KeV～20KeV。

8.如权利要求6所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述倾斜离子注入工艺的注入剂量为1×10¹³/cm²～9×10¹³/cm²。

9.如权利要求6所述的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述倾斜离子注入工艺的注入角度为20度～40度。