[发明专利]耐热性驻极体有效
申请号: | 201010504958.6 | 申请日: | 2004-07-21 |
公开(公告)号: | CN101977344A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 川户进;太田喜律 | 申请(专利权)人: | 东邦化成株式会社 |
主分类号: | H04R19/01 | 分类号: | H04R19/01 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐热性 驻极体 | ||
本申请是申请日为2004年7月21日、发明名称为“耐热性驻极体用材料和耐热性驻极体”的中国专利申请No.200480021016.5(PCT/JP2004/010683国际申请进入中国国家阶段)的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于耳机、头戴耳机或麦克风等中的耐热性驻极体用材料和耐热性驻极体。
现有技术
迄今为止,作为用于耳机、头戴耳机或麦克风等中的驻极体,公开了在金属薄片上层压可构成驻极体的热塑性树脂薄膜,并将该树脂驻极体化的方法(参阅特开昭64-44010号公报)。
此外,还公开了通过将分散有四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)的微粒的有机溶剂涂布在金属板上形成薄膜,并将该薄膜驻极体化的方法(参阅特开平11-150795号公报),以及在金属板上喷洒分散有FEP的微粒的喷洒液,然后烧结而将其驻极体化的方法(参阅特开2000-115895号公报)。
但是,当使用以往的使用了FEP的驻极体来制造麦克风等时,如果利用流动装置(flow device)或回流装置(reflow device)进行软钎焊,则存在由于软钎焊时的高温导致驻极体的功能降低的问题。特别是最近,随着越来越多地使用无铅焊料,软钎焊时的温度达到更高温的260℃左右,有可能发生驻极体的功能本身丧失的严重问题。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供一种在高温下的电荷保持性能高的耐热性驻极体。
本发明提供一种包含氟树脂的耐热性驻极体用材料,其中上述氟树脂为改性聚四氟乙烯。
此外,本发明提供一种耐热性驻极体,其是在金属部件的表面设置有包含氟树脂的耐热性驻极体用材料的耐热性驻极体,其中上述氟树脂为改性聚四氟乙烯。
此外,本发明提供一种耐热性驻极体,其是在金属部件的表面粘接有树脂薄膜的耐热性驻极体,其中,上述树脂薄膜包含聚四氟乙烯,上述树脂薄膜的一个面的水滴接触角为110°或以下,上述树脂薄膜的一个面与上述金属部件相粘接。
此外,本发明提供一种耐热性驻极体,其是在金属部件的表面粘接有树脂薄膜的耐热性驻极体,其中上述树脂薄膜包含聚四氟乙烯,并且只有上述金属部件一侧的上述树脂薄膜的一个面被实施了易粘接处理。
附图说明
图1为实施例A1制造的驻极体的剖面图。
图2为表示驻极体的表面电位残留率和温度之间的关系的图。
图3为实施例B1制造的驻极体用层压板的剖面图。
图4为表示耐湿试验中的表面电位残留率和时间之间的关系的图。
具体实施方式
(实施方案1)
本发明的耐热性驻极体用材料的一个实例,是包含氟树脂的耐热性驻极体用材料,且使用改性聚四氟乙烯(改性PTFE)作为上述氟树脂。
为了提高驻极体在高温下的电荷保持性能,必须保持电荷的俘获部位直到驻极体用材料的熔点附近。作为具体的电荷俘获部位,通常认为包括构成驻极体用材料的氟树脂的结晶内部的结晶缺陷、以及结晶部分与非结晶部分的界面。作为纯粹的聚四氟乙烯(均聚PTFE),在成形加工时容易产生空隙,由于该空隙则高温时应力被缓和,从而容易引起结晶的流动。其结果是,电荷的俘获部位(例如结晶部分与非结晶部分的界面)被破坏,电荷保持性能降低。此外,由于均聚PTFE的化学结构中不具有侧链,因而难以产生结晶缺陷。与此相反,改性PTFE在成形加工时空隙的发生少,并且其化学结构中具有侧链,因此即使在高温下也能保持电荷的俘获部位,高温下的电荷保持性能高。
此外,通过使用氟树脂作为驻极体用材料,能够赋予产品表面抗污染性、抗化学腐蚀性、防水性、耐候性等良好的功能,并且驻极体的柔韧性不会受到损害,此外能够比较容易地进行驻极体的压型加工。另外,改性PTFE的熔点(大约324℃)与作为代表性的氟树脂的均聚PTFE的熔点(大约330℃)基本相同。这样,能够使用加工温度达到300℃左右的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术制造麦克风等。
此外,优选上述改性PTFE是通过共聚99.0~99.999mol%的四氟乙烯和1.0~0.001mol%的全氟乙烯基醚得到的共聚物。此外,更优选上述改性PTFE是通过共聚99.5~99.99mol%的四氟乙烯和0.5~0.01mol%的全氟乙烯基醚得到的共聚物。这是因为当按照上述范围使四氟乙烯和全氟乙烯基醚共聚时,全氟乙烯基醚会使PTFE的基础结晶中局部地产生形变(结晶缺陷),能够容易地将电荷保持在该形变部分中。
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