[发明专利]铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料及应用无效
申请号: | 201010505099.2 | 申请日: | 2010-10-13 |
公开(公告)号: | CN101974707A | 公开(公告)日: | 2011-02-16 |
发明(设计)人: | 王敦辉;韩志达;张成亮;轩海成;都有为 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C22C19/03 | 分类号: | C22C19/03;H01F1/047 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形状 记忆 合金 热和 磁电 效应 材料 应用 | ||
1.铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料,其特征是通式为Ni-Mn-X (X=In,Sn或Sb)合金。
2.根据权利要求1所述的铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料,其特征是Ni、Mn、X原子比为40-60∶40-60∶5-20。
3.根据权利要求1所述的铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料,其特征是Ni40-60Mn40-60X5-20Sn11合金中,X=In,Sn,Sb。
4.根据权利要求1所述的铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料,其特征是在材料的晶格的间隙位置渗入小半径原子H,N,C,B,小半径原子的原子比与Ni原子比为,小于8∶40-60。
5.铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料的应用,其特征是在Ni-Mn-X(X=In,Sn或Sb)铁磁形状记忆合金材料中,通过调节元素比例,元素掺杂以及间隙原子的渗入几种手段调节马氏体相变温度,使马氏体相变或逆马氏体相变发生在弱磁态、包括反铁磁,顺磁及弱铁磁的马氏体相和铁磁态的奥氏体相之间,获得磁化强度的大幅跳跃,从而得到大的磁热和磁电阻效应。
6.根据权利要求5所述的铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料的应用,其特征是根据马氏体相变温度随晶格常数变化敏感的原理,将原有元素用适量的同主族元素替代,或者在晶格的间隙位置渗入小半径H,N,C,或B原子,在不改变价电子浓度的前提下,实现调节马氏体相变温度,使其达到指定的工作温区。
7.根据权利要求5所述的铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料的应用,其特征是在Ni-Mn-X(X=In,Sn,Sb)铁磁形状记忆合金实现大磁熵变和磁电阻的方法,通过调节Ni-Mn-X合金中,Ni-Mn元素的比例来调节马氏体相变温度,使其达到指定的工作温区。
8.根据权利要求5所述的铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料的应用,其特征是在Ni43Mn46-xCoxSn11中x从0至5,随着Co含量的提高,马氏体相变温度升高。
9.根据权利要求5所述的铁磁形状记忆合金巨磁热和磁电阻效应材料的应用,其特征是采用熔体快淬调节马氏体相变温度,使其达到指定的工作温区。
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