[发明专利]异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜及其制备方法和用途无效
申请号: | 201010505864.0 | 申请日: | 2010-09-30 |
公开(公告)号: | CN102441331A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 王美玲;李明涛;孟国文 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | B01D71/06 | 分类号: | B01D71/06;G01N21/65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氰酸 多孔 氧化铝 复合 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜,包括多孔氧化铝薄膜,其特征在于:
所述多孔氧化铝薄膜的厚度为25~35μm、孔密度为109~1011/cm2、孔直径为25~35nm;
所述多孔氧化铝薄膜的孔内壁上覆有异硫氰酸苯酯。
2.根据权利要求1所述的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜,其特征是多孔氧化铝薄膜的孔内壁上覆有的异硫氰酸苯酯的厚度为1~3nm。
3.根据权利要求2所述的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜,其特征是多孔氧化铝薄膜的孔为通孔。
4.一种权利要求1所述异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜的制备方法,包括使用阳极氧化法获得多孔氧化铝薄膜,其特征在于完成步骤如下:
先将多孔氧化铝薄膜置于浓度为10-4~10-6M的异硫氰酸苯酯的正己烷溶液中浸泡至少20h,再使用正己烷清洗掉多孔氧化铝薄膜表面的异硫氰酸苯酯,制得异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜。
5.根据权利要求4所述的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜的制备方法,其特征是使用阳极氧化法获得多孔氧化铝薄膜为,将铝片置于温度为1~5℃、浓度为0.2~0.4M的硫酸溶液中,于直流电压为25~29V下阳极氧化1~3h。
6.根据权利要求5所述的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜的制备方法,其特征是铝片的纯度为≥99.9%。
7.根据权利要求6所述的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜的制备方法,其特征是在将多孔氧化铝薄膜置于异硫氰酸苯酯的正己烷溶液中浸泡前,先将其置于浓度为4~8wt%的磷酸溶液中浸泡1~3h。
8.根据权利要求7所述的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜的制备方法,其特征是清洗为漂洗。
9.一种权利要求1所述异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜的用途,其特征在于:
先使用紫外光照射受2,2′,4,5,5′-五氯联苯污染的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜,再使用荧光光谱仪测量异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜中的异硫氰酸苯酯的发射光谱强度,得到2,2′,4,5,5′-五氯联苯的含量。
10.根据权利要求9所述的异硫氰酸苯酯和多孔氧化铝复合膜的用途,其特征是紫外光的波长范围为280~320nm。
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