[发明专利]一种硫化镉半导体纳米粒子的化学制备方法无效
| 申请号： | 201010506104.1 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101948131A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈延明;聂晓波;李继新;王立岩;李凤红 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 半导体 纳米 粒子 化学 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硫化镉半导体纳米粒子的化学制备方法，其特征在于：以带有二价镉离子的无机盐和硫脲作为起始反应物，油酸钠或亚油酸钠作为表面活性剂，甲醇、乙醇、乙二醇为反应介质，按照以下步骤，得到硫化镉半导体纳米粒子：
将起始反应物、表面活性剂、反应介质混合，控制反应温度在60-80℃范围内，在电磁搅拌条件下，恒定温度反应时间为1-5小时，将上述反应得到的初产物进行离心分离，用丙酮和去离子水洗涤沉淀物2-3次，然后在40℃条件下，将沉淀物真空烘干12小时，即可得到硫化镉半导体纳米粒子的粉体材料；其中带有二价镉离子的无机盐与表面活性剂的摩尔比为10∶1-1∶10，硫脲与表面活性剂的摩尔比为10∶1-1∶10，反应介质溶液的浓度范围在10～50mmol/L之间。
2.根据权利要求1所述一种硫化镉半导体纳米粒子的化学制备方法，其特征在于：所述带有二价镉离子的无机盐选择乙酸镉、氯化镉或高氯酸镉。
3.根据权利要求1或2所述一种硫化镉半导体纳米粒子的化学制备方法，其特征在于：所述带有二价镉离子的无机盐优选乙酸镉。
4.根据权利要求1所述一种硫化镉半导体纳米粒子的化学制备方法，其特征在于：所述表面活性剂优选油酸钠。
5.根据权利要求1或2所述一种硫化镉半导体纳米粒子的化学制备方法，其特征在于：所述反应介质优选乙醇。
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