[发明专利]波导耦合表面等离子体激元光检测器

权利要求书

1.一种设备，包括：

波导，携带波导模式中的光信号；

金属半导体金属(MSM)光检测器，包括：

第一电极；

第二电极；以及

半导体材料，夹在所述第一电极与所述第二电极之间，

其中所述MSM光检测器将所述光信号从波导模式转变为表面等离子体激元(SPP)模式。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述半导体材料包括锗(Ge)。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述第一电极和所述第二电极包括铜(Cu)。

4.如权利要求1所述的设备，其中所述波导包括氮化硅。

5.如权利要求4所述的设备，还包括：

相比所述波导具有更高折射率的包覆。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述光检测器是偏振敏感的。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述光检测器基于所述光信号的偏振来检测光逻辑信号。

8.如权利要求1所述的设备，其中所述波导和所述光检测器并排放置。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述光检测器堆叠在所述波导上方。

10.一种用于检测光信号的方法，包括：

将光信号发出到波导中，所述光信号在波导模式中；

接近金属半导体金属(MSM)装置来路由所述波导；以及

通过所述MSM装置将所述光信号从波导模式转换到表面等离子体激元(SPP)模式以检测所述光信号。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：

从中间具有半导体层的第一电极和第二电极形成所述MSM装置。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述半导体层包括锗(Ge)。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极包括铜(Cu)。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述MSM装置是偏振敏感的。

15.如权利要求14所述的方法，还包括，

从氮化硅形成所述波导。

16.如权利要求16所述的方法，还包括：

用相比所述氮化硅具有高折射率的包覆来包围所述波导。

17.如权利要求14所述的方法，还包括基于所述光信号的偏振通过所述MSM装置来检测光逻辑信号。