[发明专利]射频功率放大器在审
| 申请号： | 201010506978.7 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101951232A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张宗楠;陈立强;张健;张海英 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F3/189 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 郭元艺 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳市浑*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 功率放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频功率放大器，其特征在于，包括射频功率放大器基础单元(101)及变压器(102)；所述变压器(102)包括初级线圈及次级线圈，其中初级线圈及次级线圈的一端分别接地；次级线圈的另一端为输出端；所述射频功率放大器基础单元(101)的输出端与变压器(102)初级线圈的另一端连接。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述变压器(102)采用单端输入单端输出结构。
3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于：所述射频功率放大器基础单元(101)的输出端通过耦合电容(C)与变压器(102)初级线圈的另一端连接。
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于：所述变压器(102)与射频功率放大器基础单元(101)集成在同一块芯片。
5.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于：所述变压器(102)与射频功率放大器基础单元(101)采用分离芯片结构。
6.根据权利要求4或5所述的射频功率放大器，其特征在于：所述耦合电容(C)采用一个或两个以上可变电容。
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