[发明专利]面发光型半导体激光器及其制造方法

权利要求书

1.一种相对于半导体基板的基板面的垂直方向射出激光的面发光型半导体激光器，其特征在于：包含：

由所述半导体基板，形成在该半导体基板上方的下部镜面层，形成在该下部镜面层上方的活性层，以及形成在该活性层上方的包含氧化层的上部镜面层层积而形成的，在高度方向上从特定位置往上方有一部分形成台面状的共振器，

覆盖所述共振器台面部的侧面及该共振器非台面部上方的绝缘层，

各自配线在所述上部镜面层上方及所述半导体基板下方的各电极，

且形成在所述共振器的所述台面部的所述绝缘层的一部分的厚度，沿着该台面部的高度方向同等地比其他部分更厚。

2.如权利要求1所述的面发光型半导体激光器，其特征在于：形成在所述共振器的所述台面部侧面的所述绝缘层中，通过该共振器的所述台面部的中心且相互垂直的4个方向上，位于特定方向的部分的厚度比位于其他方向的部分更厚。

3.如权利要求1所述的面发光型半导体激光器，其特征在于：形成在所述共振器的所述台面部侧面的所述绝缘层，在特定的高度位置上其外周与内周形成偏心的结构。

4.如权利要求1所述的面发光型半导体激光器，其特征在于：形成在所述共振器的所述台面部侧面的所述绝缘层中，比其他部分更厚的部分的厚度，比形成在所述非台面部表面的所述绝缘层更厚。

5.如权利要求1所述的面发光型半导体激光器，其特征在于：所述共振器的所述台面部部分至少含有所述活性层。

6.如权利要求5所述的面发光型半导体激光器，其特征在于：所述共振器的所述台面部，包含所述下部镜面层以及所述半导体基板的一部分。

7.如权利要求1所述的面发光型半导体激光器，其特征在于：形成所述共振器的所述台面部后，在该共振器的层积面相对于蒸镀材料或者溅射标靶非平行地配置的状态下，对其进行蒸镀或溅镀从而形成所述绝缘层

8.相对于半导体基板的基板面的垂直方向射出激光的面发光型半导体激光器的制造方法，其特征在于：包含：

在所述半导体基板的上方顺次层积下部镜面层，作为活性层的层体，以及包含作为氧化层的层体的上部镜面层，并除去周围从而使高度方向上从特定的位置向上方有一部分形成台面状，并形成所述活性层与所述氧化层以形成共振器的步骤，

形成覆盖所述共振器台面部的侧面及该共振器的非台面部上方的绝缘层的步骤，

在所述上部镜面层上方及所述半导体基板下方形成各自配线的各电极的步骤，

且在形成所述绝缘层的步骤中，覆盖在所述共振器的所述台面部的所述绝缘层的一部分的厚度，沿着该台面部的高度方向同等地与其他部分更厚。

9.相对于半导体基板的基板面的垂直方向射出激光的面发光型半导体激光器的制造方法，其特征在于：包含：

在所述半导体基板的上方顺次层积下部镜面层，作为活性层的层体，以及包含作为氧化层的层体的上部镜面层，并除去周围从而使高度方向上从特定的位置向上方有一部分形成台面状，并形成所述活性层与所述氧化层以形成共振器的步骤，

形成覆盖所述共振器台面部的侧面及该共振器的非台面部上方的绝缘层的步骤，

在所述上部镜面层上方及所述半导体基板下方形成各自配线的各电极的步骤，

且在形成所述绝缘层的步骤中，形成所述共振器的所述台面部后，在该共振器的层积面相对于蒸镀材料或者溅射标靶非平行地配置的状态下，对其进行蒸镀或溅镀，从而形成所述绝缘层。