[发明专利]光刻版以及光刻版的曝光方法无效
| 申请号： | 201010507317.6 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102445836A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/44;G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 以及 曝光 方法 | ||
1.一种光刻版，包括芯片区域，其特征在于，还包括位于芯片区域外、光刻机镜头区域内的标记图形区域。
2.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述芯片区域是正方形区域，且其面积为圆形的光刻机镜头区域的最大正方形面积。
3.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述标记图形区域内的图形是对位测试标记、套刻测试标记和游标的至少其中之一。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的光刻版，其特征在于，所述芯片区域和标记图形区域之间还设有禁止区域，所述禁止区域是不透光的区域。
5.根据权利要求4所述的光刻版，其特征在于，所述禁止区域的宽度大于1000微米。
6.一种光刻版的曝光方法，包括下列步骤：
装上光刻版并对位，所述光刻版包括芯片区域以及位于芯片区域外、光刻机镜头区域内的标记图形区域；
选择专用曝光程序；
使用所述专用曝光程序对圆片进行曝光，将曝光区域分别设置在所述芯片区域和标记图形区域内，依次对每一片圆片进行曝光。
7.根据权利要求6所述的光刻版的曝光方法，其特征在于，所述芯片区域是正方形区域，且其面积为圆形的光刻机镜头区域内的最大正方形面积。
8.根据权利要求6所述的光刻版的曝光方法，其特征在于，所述标记图形区域内的图形是对位测试标记。
9.根据权利要求6-8任意一项所述的光刻版的曝光方法，其特征在于，所述芯片区域和标记图形区域之间还设有禁止区域，所述禁止区域是不透光的区域。
10.根据权利要求9所述的光刻版的曝交方法，其特征在于，所述禁止区域的宽度大干1000微米。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
