[发明专利]栅极结构及方法无效
| 申请号： | 201010507407.5 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446734A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;熊涛;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 结构 方法 | ||
1.一种栅极结构；包括：衬底，在衬底上有氧化层，在氧化层上有多晶硅，其特征在于，在多晶硅的栅极上有金属硅化物；在金属硅化物上有氮化物。
2.如权利要求1所述的栅极结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、在硅片上淀积栅极多晶硅；
步骤二、在栅极上淀积一层金属，和多晶硅反应生成金属硅化物；
步骤三、热过程生成金属硅化物栅极；
步骤四、在硅片上淀积阻挡层。
3.如权利要求2所述的栅极结构的制作方法，其特征在于，如果在步骤三反应生成金属硅化物栅极的时候，在多晶硅不生成金属硅化物的区域，则在步骤一和步骤二之间加入以下步骤：
在多晶硅上淀积一层金属硅化物反应的阻挡层，然后使用光刻定义出需要保留金属硅化物反应阻挡层的区域，然后利用刻蚀去掉其他区域的氧化硅；
去掉光刻胶，然后淀积金属硅化物反应所需金属，按照上述步骤三中的金属硅化物制程，反应生成金属硅化物；然后去除在氧化硅上未能生成金属硅化物的金属。
4.如权利要求2所述的栅极结构的制作方法，其特征在于，所述步骤一中栅极多晶硅的厚度为100至5000A。
5.如权利要求2所述的栅极结构的制作方法，其特征在于，所述步骤二中金属硅化物的金属为钛。
6.如权利要求2所述的栅极结构的制作方法，其特征在于，在所述步骤二和步骤三之间增加光刻步骤来选择定义需要生成金属硅化物的区域，将需要制作电阻的区域用金属硅化物生成的阻挡层保护住。
7.如权利要求6所述的栅极结构的制作方法，其特征在于，金属硅化物生成的阻挡层为氧化硅。
8.如权利要求3所述的栅极结构的制作方法，其特征在于，在多晶硅上淀积的金属硅化物反应的阻挡层为500A厚度的氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
