[发明专利]晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置及老化方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置，其特征在于：包括电源、支架(1)、设于支架上的上导电板(2)和下导电板(3)，以及驱动装置(4)；所述上导电板和下导电板上下相对设置，其中一个导电板与支架固定连接，另一个导电板与所述驱动装置的输出端连接；

所述上导电板和下导电板分别通过导线与电源连接。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置，其特征在于：所述下导电板与支架固定连接，上导电板与所述驱动装置的输出端连接。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置，其特征在于：所述支架上还设有风扇(5)，风扇的出风口位于上、下导电板之间。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置，其特征在于：所述上导电板和下导电板均是铜板。

5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置，其特征在于：所述支架上还设有定位部件(7)，定位部件围绕设于下导电板的四周。

6.一种晶体硅太阳能电池片电致衰减老化方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将至少2片晶体硅太阳能电池片按正负极性循序层叠在一起，组成电池片组；

(2)将步骤(1)的电池片组通入正向直流电流，通电时间为至少30分钟，电流密度为2.05～20.55mA/cm²。