[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括第一导电类型的第一半导体区的半导体衬底；

所述半导体衬底中的有源区；

在所述有源区外部的耐击穿区；

在所述半导体衬底的背面上的第二导电类型的集电极区；

在所述耐击穿区的外围区域中的所述第二导电类型的第二半导体区，所述第二半导体区从所述半导体衬底的正面穿过所述半导体衬底形成到所述半导体衬底的背面，所述第二半导体区与所述集电极区接触；

在所述半导体衬底的正面上的所述耐击穿区的表面部分中的所述第二导电类型的第三半导体区，所述第三半导体区包围所述有源区；

在所述半导体衬底的正面上选择性地形成的层间绝缘膜；

与所述第三半导体区接触的导电膜，所述导电膜在所述层间绝缘膜上；以及

所述导电膜中的至少除了与最远侧的第三半导体区接触的导电膜以外的导电膜包括第二半导体区侧边缘部分，所述第二半导体区侧边缘部分比与相应导电膜接触的第三半导体区的第二半导体区侧边缘部分向所述第二半导体区突出更多，其中所述最远侧的第三半导体区与所述第二半导体区相距最远，并且从所述第二半导体区朝所述有源区延伸的耗尽层到达所述最远侧的第三半导体区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件进一步包括在所述半导体衬底的正面上的所述耐击穿区的表面部分中的所述第二导电类型的第四半导体区，所述第四半导体区抑制在施加了反向电压时从所述第二半导体区朝所述有源区延伸的耗尽层扩展；以及

与位于第二半导体区和第四半导体区之间的第三半导体区接触的导电膜中的至少除了与所述最远侧的第三半导体区接触的导电膜以外的导电膜包括第二半导体区侧边缘部分，所述第二半导体区侧边缘部分比与相应导电膜接触的第三半导体区的第二半导体区侧边缘部分向所述第二半导体区突出更多，其中所述最远侧的第三半导体区与所述第二半导体区相距最远，并且从所述第二半导体区朝所述第四半导体区延伸的耗尽层到达所述最远侧的第三半导体区。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，包括比所述第三半导体区的第二半导体区侧边缘部分向第二半导体区突出更多的第二半导体区侧边缘部分的导电膜的数量大于包括比所述第三半导体区的第四半导体区侧边缘部分向第四半导体区突出更多的第四半导体区侧边缘部分的导电膜的数量。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，包括比所述第三半导体区的第四半导体区侧边缘部分向第四半导体区突出更多的第四半导体区侧边缘部分的导电膜的数量为1。

5.如权利要求1到4中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，用20kGy或更高剂量的电子束辐照所述半导体衬底，并在晶格缺陷被引入所述半导体衬底后对所述半导体衬底进行热处理。

6.如权利要求1到5中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，当所述第三半导体区与所述第二半导体区相距更宽时，毗邻的第三半导体区彼此相距更宽。