[发明专利]一种多增益模式低噪声放大器无效
申请号: | 201010508585.X | 申请日: | 2010-10-15 |
公开(公告)号: | CN101951229A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 邵志刚 | 申请(专利权)人: | 成都国腾电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F3/45 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐宏;吴彦峰 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增益 模式 低噪声放大器 | ||
1.一种多增益通路低噪声放大器,其特征在于包括高增益通路、低增益通路、衰减通路以及控制该多增益通路通断的开关管;其中所述高增益通路采用cascode结构的源简并电感型低噪声放大器;所述低增益通路采用的源极端电阻用于实现共模抑制,并通过反馈电阻实现低增益;所述衰减通路由无源电阻或电容或无源电阻和电容共同构成;所述控制该多增益通路通断的开关管用于实现多通路电路的切换,确保在其中任意一路通路时其他两路通路禁止。
2.如权利要求1所述的多增益通路低噪声放大器,其特征在于所述的确保在其中任意一路通路时其他两路通路禁止的过程是:通过所述控制该多增益通路通断的开关管的控制,在同一电路中实现所述多增益通路低噪声放大器的多增益模式,包括高增益、低增益以及衰减模式。
3.如权利要求1所述的多增益模式低噪声放大器,其特征在于该电路拓扑结构可以适用于差分输入差分输出结构、单端输入差分输出、单端输入单端输出以及差分输入单端输出等多种电路结构。
4.如权利要求1所述的多增益模式低噪声放大器,其特征在于该高增益通路由M01、M02、M11、M12和L组成,其中M01和M02为放大管,起主要放大作用,M11和M12是Cascode管,用以减小晶体管Miller效应,电感L用于提供匹配;所述低增益通路由M21、M22、M31、M32、Rf1和Rf2组成,其中M21和M22为放大管,起主要放大作用;M31和M32是Cascode管,用以减小晶体管Miller效应,电阻或电感在差分电路中用于提高共模抑制,电阻Rf1和Rf2提供反馈,降低增益;所述衰减通路由无源器件Ca1、Ca2、Ra1和Ra2组成RC衰减网络实现。
5.如权利要求1或4所述的多增益模式低噪声放大器,其特征在于:所述控制该多增益通路通断的开关管可以分为4组:SW01与SW02、SW11与SW12、SW21与SW22以及SW31、SW32与SW33,通过开关管的通断组合,独立实现电路的高增益、低增益和衰减配置。
6.如权利要求5所述的多增益模式低噪声放大器,其特征在于:当所述控制该多增益通路通断的开关管SW01与SW02打开时,其余所述开关管SW11与SW12、SW21与SW22以及SW31、SW32与SW33均处于关闭状态,电路处于高增益模式,获得最大的增益和最佳的噪声性能。
7.如权利要求5所述的多增益模式低噪声放大器,其特征在于:当所述控制该多增益通路通断的开关管SW11与SW12以及SW21与SW22打开时,其余所述开关管SW01与SW02以及SW31、SW32与SW33均处于关闭状态,电路处于低增益模式。
8.如权利要求5所述的多增益模式低噪声放大器,其特征在于:当所述控制该多增益通路通断的开关管SW11与SW12以及SW31、SW32与SW33打开时,其余开关管SW01与SW02以及SW21与SW22均处于关闭状态,电路处于衰减模式,用于处理高输入功率,获得最佳的线性度性能。
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