[发明专利]基板冷却装置、基板冷却方法及存储介质无效
申请号: | 201010508961.5 | 申请日: | 2010-10-12 |
公开(公告)号: | CN102044411A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 水永耕市;久我恭弘;金田正利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G03F7/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冷却 装置 方法 存储 介质 | ||
1.一种基板冷却装置,其特征在于,
包括:
载置台,其包括用于载置基板的载置面;
突起,其设置于上述载置面,用于支承上述基板的背面;
制冷剂流路,其为了冷却上述载置面而设置于上述载置台,供制冷剂流通;
气体喷出口,其在上述载置面的周缘部沿着周向设有多个,喷出用于冷却基板的冷却气体;
气体吸引口,其设置在上述载置面的中央部,用于吸引上述冷却气体;
槽,其设置于上述载置面,用于使冷却气体朝向基板的周向扩散。
2.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,
在上述载置面的周缘部的周向上,替代设置多个上述气体喷出口而设置有多个气体吸引口;
在上述载置面的中央部,替代设置上述气体吸引口而设置有气体喷出口。
3.根据权利要求1所述的基板冷却装置,其特征在于,
设有多个上述气体吸引口。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板冷却装置,其特征在于,
上述槽呈以上述载置面的中心为中心的同心圆状设有多个。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的基板冷却装置,其特征在于,
供给到上述制冷剂流路的制冷剂的温度被控制成低于供给到气体喷出口的冷却气体的温度。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板冷却装置,其特征在于,
自上述气体喷出口供给到基板的冷却气体的流量小于由上述气体吸引口吸引的气体的流量。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基板冷却装置,其特征在于,
上述载置台构成基板输送机构的一部分,该载置台能够利用移动部件自由移动。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的基板冷却装置,其特征在于,
该基板冷却装置包括在上述载置面的周缘部凸起且用于支承基板的周缘部的台阶。
9.一种基板冷却方法,其特征在于,
包括以下工序:
将基板载置在载置台的载置面上;
将上述基板支承在设置于上述载置面的突起上;
为了冷却上述载置面,使制冷剂在设置于上述载置台的制冷剂流路中流通;
从在上述载置面的周缘部沿着周向设置的多个气体喷出口喷出用于冷却基板的冷却气体;
自设置于上述载置面的中央部的气体吸引口吸引上述冷却气体;
利用设置于上述载置面的槽,使冷却气体朝向基板的周向扩散。
10.根据权利要求9所述的基板冷却方法,其特征在于,
替代进行从在上述载置面的周缘部沿着周向设置的多个气体喷出口喷出上述冷却气体的工序,而进行从设置在上述载置面的中央部的气体喷出口喷出上述冷却气体的工序;
替代进行自设置于上述载置面的中央部的气体吸引口吸引上述冷却气体的工序,而进行从沿着上述载置面的周缘部的周向设置的多个气体吸引口吸引上述冷却气体的工序。
11.根据权利要求9或10所述的基板冷却方法,其特征在于,
该基板冷却方法包括将供给到上述制冷剂流路的制冷剂的温度控制成低于供给到气体喷出口的冷却气体的温度的工序。
12.根据权利要求9~11中任一项所述的基板冷却方法,其特征在于,
将从气体喷出口供给到基板的冷却气体的流量控制成低于由气体吸引口吸引的气体的流量。
13.一种存储介质,该存储介质存储有基板冷却装置所使用的计算机程序,其特征在于,
上述计算机程序用于实施权利要求9~12中任一项所述的基板冷却方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造