[发明专利]一种大电流二极管应力减小加工工艺有效
| 申请号： | 201010509031.1 | 申请日： | 2010-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102034705A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张力 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400000 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 二极管 应力 减小 加工 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种大电流二极管应力减小加工工艺，其特征在于：该工艺按如下步骤进行：
a.将铜引线通过机器装入石墨舟内，在铜引线即电极装入石墨舟后，在氢气、氮气混合气的保护下进行高温退火，300℃以上时间大于10分钟；
b.将退火且自然冷却后的石墨舟上分别装填焊料及芯片；
c.将一个没有装填焊料、芯片的石墨舟翻转180度定位合在已装有焊料、芯片的石墨舟上，然后进隧道炉执行焊接；
d.将焊接好的产品利用模具及压机把环氧树脂包覆到已焊接产品的有芯片部位；
e.分段固化，首先在常温下经过30分钟慢慢升温至80℃，并在80℃的情况下维持烘烤2小时，接着在80℃情况下经30分钟慢慢升温至110℃，并维持烘烤2小时；最后在110℃情况下经30分钟慢慢升温至170℃，并维持烘烤6小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
