[发明专利]低温烧结陶瓷材料、低温烧结陶瓷烧结体和多层陶瓷基板

说明书

技术领域

本发明涉及低温烧结陶瓷材料、低温烧结陶瓷烧结体和多层陶瓷基板，尤其涉及用于抑制低温烧结陶瓷材料的烧结性的偏差的改良。

背景技术

作为多层陶瓷基板中使用的电气绝缘体材料，已知有SiO₂-BaO-Al₂O₃系低温烧结陶瓷材料。该材料由于可与铜之类的比电阻小的金属材料同时进行烧结、绝缘电阻高、介电常数小，因此，作为高频用的电子部件模块中使用的基板材料特别有用。

为了对SiO₂-BaO-Al₂O₃系低温烧结陶瓷材料进行各种特性的改善，可以加入各种添加物。例如，如在日本特开2004-345928号公报(专利文献1)、日本特开2008-44829号公报(专利文献2)所公开的那样，有时加入Zr作为添加物。

在专利文献1的段落[0029]等中，公开了通过加入适量的锆，可以得到致密且烧结性好、Q值高的陶瓷烧结体的技术思想。另外，在专利文献2的段落[0074]等中，公开了通过加入适量的锆，可以得到高弯曲强度和高Qf值的技术思想。

然而，对于SiO₂-BaO-Al₂O₃系低温烧结陶瓷材料而言，特别是将其作为原料工业上制造多层陶瓷基板时，存在原料批次间的品质(特别是烧结性)易于产生偏差的问题。

【专利文献】

专利文献1：日本特开2004-345928号公报

专利文献2：日本特开2008-44829号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供可以解决上述的问题的低温烧结陶瓷材料，烧结该低温烧结陶瓷材料而成的低温烧结陶瓷烧结体以及使用低温烧结陶瓷材料制造的多层陶瓷基板。

为了解决上述的技术性课题，本发明的低温烧结陶瓷材料的特征在于，其以SiO₂-BaO-Al₂O₃系低温烧结陶瓷材料作为基本成分，并且，相对于该SiO₂-BaO-Al₂O₃系基本成分100重量份，作为副成分含有以Fe₂O₃换算计为0.044～0.077重量份的铁和以ZrO₂换算计为0.30～0.55重量份的锆。

在本发明的低温烧结陶瓷材料中，优选SiO₂-BaO-Al₂O₃系基本成分分别含有47～60重量％的SiO₂、20～42重量％的BaO和5～30重量％的Al₂O₃。

另外，本发明是将上述本发明的低温烧结陶瓷材料在1050℃以下的温度条件下烧成而成的，也可以面向低温烧结陶瓷烧结体。

而且，本发明具备层叠了多个陶瓷层而成的层叠体，也可以面向多层陶瓷基板。本发明的多层陶瓷基板的特征在于，多个陶瓷层中的至少1层由上述本发明的低温烧结陶瓷烧结体构成。

在本发明的多层陶瓷基板中，优选还具备设置在层叠体的表面和/或内部的、包含铜系材料的导体图案。

根据本发明的低温烧结陶瓷材料，在SiO₂-BaO-Al₂O₃系低温烧结陶瓷材料的基本成分中，加入规定量的铁和锆作为成为烧结助剂的副成分，严格地控制这些铁和锆的量。其结果是，对于使用烧结该低温烧结陶瓷材料而成的低温烧结陶瓷烧结体来构成的多层陶瓷基板而言，可以实现尺寸精度高、镀覆附着性优良、对于表面导体膜的基板的接合强度高、基板本身强度(抗折强度、弯曲强度)高、翘曲或起伏小、基板密度高(电气特性优良)等优点。

特别是对于SiO₂-BaO-Al₂O₃系基本成分的组成的情况，在使其分别含有47～60重量％的SiO₂、20～42重量％的BaO、和5～30重量％的Al₂O₃时，可以良好且确实地实现上述的优点。

附图说明

图1是图解性地表示使用本发明的低温烧结陶瓷材料来制造的多层陶瓷基板1的剖面图。

符号的说明

1多层陶瓷基板

2陶瓷层

3层叠体

4，5外部导体膜

6内部导体膜