[发明专利]平板显示装置的像素电极电压检测电路有效
申请号: | 201010509158.3 | 申请日: | 2010-10-14 |
公开(公告)号: | CN102446475A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 黄忠守 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00;G01R19/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 显示装置 像素 电极 电压 检测 电路 | ||
1.一种平板显示装置的像素电极电压检测电路,所述平板显示装置具有相互交叉排列的多条扫描线和多条数据线,所述多条扫描线和多条数据线限定出多个像素单元,所述每个像素单元包括像素开关元件和像素电极;其特征在于,所述像素电极电压检测电路包括:
至少一个像素电极电压检测子电路,其中,所述像素电极电压检测子电路包括:
与所述像素单元中的像素电极连接的信号放大单元,用于对所述像素电极的电压信号作放大处理;
与所述信号放大单元连接的信号检测单元,用于检测经所述信号放大单元作放大处理后的像素电极电压信号,并输出所述像素电极电压信号随时间的变化状况。
2.根据权利要求1所述的平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述像素开关元件为薄膜晶体管,具体包括:栅极,电连接于所述扫描线,用于控制所述薄膜晶体管的导通和关断;源极,电连接于所述数据线,用于接收数据信号;漏极,电连接于所述像素电极。
3.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述平板显示装置为帧反转模式或行反转模式,所述平板显示装置的一行像素单元的各个像素电极并接到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
4.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述平板显示装置为点反转模式,所述平板显示装置的一行像素单元中极性变化相同的各个像素电极并联到所述像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
5.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述平板显示装置的第一行和最后一行的像素单元的各个像素电极分别连接于所述两个像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
6.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述平板显示装置的第一行的第一个像素单元和第一行最后一个像素单元的像素电极分别连接于所述两个像素电极电压检测子电路的信号放大单元。
7.根据权利要求3至6任一所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述连接到各个像素电极电压检测子电路的信号放大单元的像素电极为平板显示装置的空白像素电极。
8.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述信号放大单元为MOS晶体管,所述MOS晶体管的栅极与所述像素单元的像素电极连接。
9.根据权利要求8所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述像素电极电压检测子电路还包括预置单元,位于作为信号放大单元的所述MOS晶体管和与其连接的所述像素单元的像素电极之间,用于对作为信号放大单元的所述MOS晶体管的特性进行预置。
10.根据权利要求9所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述预置单元为MOS晶体管,所述MOS晶体管的漏极与作为信号放大单元的所述MOS管的栅极连接。
11.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述信号放大单元为源跟随器。
12.根据权利要求11所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述源跟随器包括:第一MOS晶体管和第二MOS晶体管;其中,所述第一MOS晶体管的栅极作为与所述像素电极连接的输入端,所述第一MOS晶体管的源极接地,所述第一MOS晶体管的漏极与第二MOS晶体管的漏极连接而作为输出端,所述第二MOS晶体管的栅极和源极共同与电源电压连接。
13.根据权利要求12所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述源跟随器还包括位于所述第一MOS晶体管的栅极处的预置端,用于对所述源跟随器的特性进行预置。
14.根据权利要求1所述平板显示装置的像素电极电压检测电路,其特征在于,所述平板显示装置为薄膜晶体管液晶显示装置。
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