[发明专利]形成侧墙以及PMOS晶体管的方法无效
| 申请号： | 201010509385.6 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446747A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张彬;鲍宇;任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/31;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 以及 pmos 晶体管 方法 | ||
1.一种形成侧墙的方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的硅衬底内形成有锗硅区域；
氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面，在所述硅衬底、锗硅区域以及栅极表面形成氧化层；
在所述氧化层表面形成氧化硅层；
在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；
回刻所述氧化硅层和氮化硅层在所述栅极的周围形成侧墙。
2.如权利要求1所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面为用臭氧氧化所述硅衬底、锗硅以及栅极的表面。
3.如权利要求2所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述用臭氧氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面包括：
等离化臭氧形成臭氧等离子体；
用所述臭氧等离子体氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面。
4.如权利要求2所述的形成侧墙的方法，其特征在于，所述用臭氧氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极表面包括：
在400℃～580℃范围内加热所述硅衬底；
以15000～27000sccm的流量将臭氧通入所述硅衬底所在的腔室内，氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面。
5.一种形成PMOS晶体管的方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底上形成栅极；
在所述栅极两侧的硅衬底内形成锗硅区域；
对锗硅区域进行P型离子注入，形成源区和漏区；
氧化所述硅衬底、锗硅区域以及栅极的表面，在所述硅衬底、锗硅区域以及栅极表面形成氧化层；
在所述氧化层表面形成氧化硅层；
在所述氧化硅层表面形成氮化硅层；
回刻所述氧化硅层和氮化硅层在所述栅极的周围形成侧墙。
6.如权利要求5所述的形成PMOS晶体管的方法，其特征在于，还包括：以所述侧墙为掩膜，对所述锗硅区域进行P型离子轻掺杂。
7.如权利要求5所述的形成PMOS晶体管的方法，其特征在于，所述P型离子为硼离子。
8.如权利要求5所述的形成PMOS晶体管的方法，其特征在于，所述在所述栅极两侧的硅衬底内形成锗硅区域使用的方法为锗硅外延生长或锗离子注入。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010509385.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
