[发明专利]半导体钛晶节能芯片的制造方法无效
申请号: | 201010509477.4 | 申请日: | 2010-10-08 |
公开(公告)号: | CN102442786A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 杨炯耀 | 申请(专利权)人: | 中科半导体科技有限公司 |
主分类号: | C03C17/23 | 分类号: | C03C17/23 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 节能 芯片 制造 方法 | ||
1.一种半导体钛晶节能芯片的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:
一准备程序(10),所述准备程序(10)为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃;
一清洗程序(20),所述清洗程序(20)为将所述钛晶玻璃用超音波清洗干净并加以烘干;以及
一镀膜程序(30),所述镀膜程序(30)为将所述钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中,并用摄氏300-750度的温度使所述钛晶玻璃的表面毛细孔扩张,以于所述钛晶玻璃上植入阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的氧化金属群(60),并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10度,使所述钛晶玻璃的表面收缩,使得所述氧化金属群(60)形成在所述钛晶玻璃的表层内从而完成一循环,并重复此一循环。
2.根据权利要求1所述的半导体钛晶节能芯片的制造方法,其特征在于,还包含一切割完成程序(40),所述切割完成程序(40)为将镀有所述氧化金属群(60)的钛晶玻璃切割成所需大小。
3.根据权利要求1所述的半导体钛晶节能芯片的制造方法,其特征在于,重复所述镀膜程序(30)的循环为30-50次之间。
4.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法,其特征在于,所述氧化金属群(60)为氧化银。
5.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法,其特征在于,所述氧化金属群(60)为氧化锡。
6.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法,其特征在于,所述氧化金属群(60)为氧化铝。
7.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法,其特征在于,所述钛晶玻璃为利用一钛金属植入玻璃经加热结晶而形成。
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