[发明专利]包括延伸的NLDD源极-漏极区以获得改善的耐久性的MOS晶体管

权利要求书

1.一种形成于第一导电率类型的半导体层上的金属氧化物硅(MOS)晶体管，其包含：

通过第一电介质层与所述半导体层绝缘的导电栅极；

经形成而与所述导电栅极的第一边缘自对准的第二导电率类型的第一轻掺杂的扩散区；

经形成而与所述导电栅极的与所述第一边缘相对的第二边缘自对准的所述第二导电率类型的第二轻掺杂的扩散区；

形成于所述第一轻掺杂的扩散区上方的所述第二导电率类型的第一扩散区，所述第一扩散区与形成于所述导电栅极的所述第一边缘的侧壁上的第一间隔物自对准，所述第一轻掺杂的扩散区保持在所述第一间隔物下面；

形成于所述第二轻掺杂的扩散区上方的所述第二导电率类型的第二扩散区，所述第二扩散区经形成而远离形成于所述导电栅极的所述第二边缘的侧壁上的第二间隔物的边缘第一距离，所述第二轻掺杂的扩散区保持在所述第二间隔物下面并越过所述第一距离延伸到所述第二扩散区；

形成于所述第一扩散区上面的第一接触面开口及形成于所述第一接触面开口中的第一金属化物；及

形成于所述第二扩散区上面的第二接触面开口及形成于所述第二接触面开口中的第二金属化物，

其中所述导电栅极的所述第一边缘到所述第一接触面开口之间的距离与所述导电栅极的所述第二边缘到所述第二接触面开口之间的距离相同。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述第一导电率类型为P-型且所述第二导电率类型为N-型，所述MOS晶体管包含NMOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述第一导电率类型为N-型且所述第二导电率类型为P-型，所述MOS晶体管包含PMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述第一轻掺杂的扩散区包含轻掺杂的源极区，所述第一扩散区包含源极区，所述第二轻掺杂的扩散区包含轻掺杂的漏极区，且所述第二扩散区包含漏极区。

5.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述第一轻掺杂的扩散区包含轻掺杂的漏极区，所述第一扩散区包含漏极区，所述第二轻掺杂的扩散区包含轻掺杂的源极区，且所述第二扩散区包含源极区。

6.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述导电栅极包含多晶硅层。

7.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述导电栅极的所述第二边缘到漏极接触面开口之间的距离为Nμm且所述第一距离包含在0.3μm到Nμm之间的值。

8.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述半导体层包含所述第一导电率类型的半导体衬底。

9.根据权利要求1所述的MOS晶体管，其中所述半导体层包含形成于半导体衬底中的所述第一导电率类型的阱区。

10.根据权利要求4所述的MOS晶体管，其进一步包含：

其中形成有所述轻掺杂的源极区及所述源极区的所述第一导电率类型的体区，其中所述MOS晶体管包含LDMOS晶体管。