[发明专利]自对准光刻的方法有效
| 申请号： | 201010509857.8 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102445839A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王雷;孟洪林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 光刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种自对准光刻的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在自对准的图形层上淀积抗反射材料，而后采用光刻和刻蚀工艺在所述抗反射材料中形成自对准图形；
2)接着涂负性光刻胶；
3)最后进行直接曝光并显影，去除所述抗反射材料上的负性光刻胶。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3)曝光中，采用的曝光能量E为：E0＜E＜E0*A，其中E0为所述负性光刻胶曝光后不溶解于显影液的阈值能量，A＝r/R，R为所述抗反射材料在曝光波长下，和衬底形成的多层膜的衬底反射率，r为没有抗反射材料时在曝光波长下的衬底反射率。
3.按照权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤3)中的R小于20％。
4.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于：所述抗反射材料为SiON或TiN。
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